Si5512——一个大元胞的稳定表面3.PDF

　第 19 卷第 4 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 4　 V o l N o 　1998 年 4 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A p r Si(5, 5, 12) ——一个大元胞的稳定表面 邢益荣 ( 中国科学院半导体研究所　表面物理国家重点实验室　北京　100083) W . 朗克 (德国马普学会弗里茨——哈贝尔研究所　柏林　 14195) D 胡晓明 ( 中国科学院物理研究所　表面物理国家重点实验室　北京　100080) ( ) 摘要　利用常规的 和高分辨率的 技术研究了标称 337 的 表面原子结 L EED SPA L EED Si ( + ) ( ) 构. 经过反复的离子轰击 700 和 1300 退火之后的这种表面形成稳定的 5, 5, 12 晶 eV A r K ( ) ( ) ( ) ( ) 面, 即结构周期为 337 + 225 + 337 的有序的原子排列. 这一事实说明: Si 5, 5, 12 是比 Si ( ) 和 图像证实, 稳定的 ( ) ( ) 337 更为稳定的晶面. L EED SPA L EED Si 5, 5, 12 表面为 2 ×1 原子 再构, 即沿[110 ]方向的周期是体内结构周期的两倍, 而沿[665 ]方向的周期与体内结构周期相 同. Si(5, 5, 12) - 2 ×1 表面的元胞面积为 0 768 ×5348nm 2 , 这是至今所观察到的最大表面元 胞之一. 结合其它的实验结果, 提出了一个 Si(5, 5, 12) - 2 ×1 的表面原子再构模型. : 6820, 6114 PACC H 1　引言 ( ) [ 1 ] 近年来, 半导体的高指数晶面引起人们的兴趣. 对于 Si, 113 是最稳定的高指数面 . 一般地说, 在半导体的高指数面上, 往往形成一些低指