大功率半导体器件的发展与展望-中国科技论文在线.PDF

中国科技论文在线 大 牛变沲技术 大功率半导体器件的发展与展望 钱照 明，盛 况 (浙汀大学 ，浙江 杭州 310027) 摘 要：回顾 了现代电力电子器件的发展历史，涉及的器件包括晶闸管、GTO、IGCT、MTO、IGBT、各种改 进型的IGBT以及 CoolMOS。叙述 了采用新型材料的电力电子器件的发展和前景，应用碳化硅和氮化镓材料的功 率器件正在迅速地发展 ，一些器件有望在不远 的将来实现商品化，进入 电力电子技术市场。 关键词 ：电力 电子 器件 ；碳化硅 ；氮化镓 ；发展 ；展 望 中图分类号：TN31／387 文献标识码 ：A 文章编号：1671—8410(2010)01—0001—09 DevelopmentandPerspectiveofH ighPowerSemiconductorDevice QIANZhao—ming，SHENGKuang (ZhejiangUniversity，Hangzhou，Zhejiang310027，China) Abstract：Thedevelopinghistoryofmodem powerelectronicdeviceisreviewed，whichincludesthyristor，GTO，IGCT，MTO，IGBT， improvedIGBTandCoolM OS．Thedevelopmentandperspectiveofpowerelectronicdevicewithnovelmaterialsareproposed．Thepower deviceapplyingSiC andGaN isinaspeedygrowing，someofwhichwillrealizecommercializationinthenearfutureandenterintothe technologymarketofpowerelectronics． Keywords：powerelectronicdevice；SiC；GaN；development；prospective 0 引言 流器 ，如牵引变流器几乎都是基于品闸管的。到了20世 f力}乜子器件发腱至今 有近60年的历史 ，随着 纪80年代中期 ，4．5kV的GTO得到广泛应用，并成为接 一 代新 电力电子器件的诞生 ，r业界往往都会掀起 下来的10年内大功率变流器的苗选‘器件 ，一直到IGBT · 场革命浪潮 。新 功率器件及其丰fl关新型半导体材 的阻断电压达到3．3kV之后 ，这个局面 得到改变。与 料的研究，一直是电力电子 业极为活跃的领域。 此同时，GTO技术的进一一步改进导致了IGCTfl~JM世 ，它 一 一 利I理想 的功率 、l导体器件 ，应 当具有理想的静 显示 出比传统GTO更加显著的优点。目fjif的GTO开关 态和动态特性 ：在l5}i断状态，能承受高电压；在 导通状 频率大概为500Hz，由于开关性fl~fl,j提高，IGCT和大功 态，具有高的电流密度和低的导通 降；在开关状态和 率IGBT的开通和关断损耗都相对较低 ，因此可以T作 转换时，开 、关时间 ，能承受高的di／dt和dv／dt，具有 在 1～3kHz的开关频率下。至2005年，以品闸符为代表 低的开关损耗 ，斤具有伞控功能 。 的半控型器件笆达到7X10W／9000V的水平 ，伞控器 自从20世纪50年代硅品闸符问世以后 ，功率半导 件也发