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《模拟电子技术》练习1：选填分类连答（全部）（前1、2位是卷号，后1、2是填空题号） 一 半导体材料 201．半导体中有___ __载流子。 （a.一种 b.两种）(b) 191. 半导体中的空穴是__ __。 （a.带正电的离子 b.电子挣脱共价键后留下的空位）(b) 11.本征半导体掺入五价元素后为　　　。N型半导体中的多数载流子是______。P型半导体中的多数载流子是______。 （a. N型半导体 b. P型半导体 c.空穴 d.电子）（a,b,c） 131. 本征半导体掺入三价元素后成为__　___。P型半导体中的多数载流子是__c___。 （a. N型半导体 b. P型半导体 c.空穴 d.电子）(b,c) 141．本征半导体掺入五价元素后成为__ ___。P型半导体中的多数载流子是__ ___。 (a.N型半导体 b. P型半导体 c.空穴 d.电子)(a,c) 半导体掺入三价元素后成为___ __。N型半导体中的多数载流子是__ ___。 (a.N型半导体 b. P型半导体 c.空穴 d.电子) (b,d) 21.一种纯净的、结构完整的半导体晶体是__ _,在本征半导体中掺入微量杂质的半导体是__ __。 （a.本征半导体 b.杂质半导体）(a,b) 181.N型半导体是纯净半导体中加入___ __后形成的半导体。 (a.电子 b.三价硼元素 c.五价磷元素)(c) 31．N型半导体中的多数载流子是　 　，少数载流子是　 　。 （a.正离子　　b.负离子　　c.电子　　d.空穴）(c,d) P型半导体中的多数载流子是　 　，少数载流子是　 　。 （a.正离子　　b.负离子　　c.电子　　d.空穴）(d,c) 61. N型半导体 _____，P型半导体_____。 （a.带正电 b.带负电 c.呈中性）(c,c) 71．N型半导体中的多数载流子是型半导体中的多数载流子 （　.自由电子　　.空穴）））(a.短路 b.断路 c.正常)死区电压 d. 死区电压）） a.是二极管 b.不是二极管 c.是特殊的二极管)，它工作在___ __状态。 ( a.正向导通 b.反向截止 c.反向击穿) (c,c) 四 晶体管 13.若用万用表测得电路中某三极管的三个电极的电位分别为VC=6.3V, VB=6.7V, VE=6V, 则该三级管为___　_管；工作状态为_　___。 （a.硅, b.锗, c.放大, d.饱和, e.截止）(a,d) 23、143．一个NPN型硅管在电路中三个电极的电位分别为VE =3V, VB =3.7V, VC =6.5V, 则此管处于__ __工作状态。 （a.放大 b.截止 c.饱和）(a) 162．一个NPN型硅管在电路中三个电极的电位分别为VE =3.4V, VB =4V, VC =3.6V, 则此管处于__ __工作状态。 （a.放大 b.截止 c.饱和）(c) 192．一个NPN型硅管在电路中三个电极的电位分别为VE =5V, VB =5.7V, VC =12V, 则此管处于__ __工作状态。 （a.放大 b.截止 c.饱和）(a) 202．一个PNP型晶体管在电路中三个电极的电位分别为VE =12V, VB =11.7V, VC =6V, 则此管处于____工作状态,该管是__ __管。 （a.放大 b.截止 c.饱和 d.硅 f.锗）(a,f) 33、132. 导体三极管工作于放大状态时，发射结处于__　__偏置,集电结处于__　__偏置。 （a.正向 b.反向）(a,b) 153. 当半导体三极管工作于截止状态时，发射结处于__ __偏置,集电结处于__ __偏置。 （a.正向 b.反向）(b,b) 42.晶体三极管是__ _控制电流器件，场效应管是　 　控制电流器件。 (a.双极型的电流　 　b. 单极型的电压)(a,b) 43．测得三极管的二组电流分别为，；， 则该管的β为___ ___。 （a.80 b.60 c.100），； ，。则该管的β为__ ___。 （a. 80 b. 60 c.100） 用万用表测得处于放大状态的某三极管三个电极的电位分别为：.7V ②0V ③6V，则该三个电极应分别为①__ __极；②__ __极；③__ __极。（a.集电极　b.基极　c.发射极）用万用表测得处于放大状态的某三极管三个电极的电位分别为：V ②2V ③6V，则该三个电极应分别为①__ __极；②__ __极；③__ __极。集电极　b.基极 　c.发射极用万用表测得处于放大状态的某三极管的三个电极的电位,