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集成电路制造工艺光刻工艺流程作者：张少军陕西国防工业职业技术学院 电子信息学院 电子****班 24 号 710300摘要： 摘要：光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺，在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形状是薄膜 内的孔或是残留的岛状部分。关键词：光刻胶；曝光；烘焙；显影；前景Abstract: photoetching lithography (is) through a series of steps will produce wafer surface film of certain parts of the process, remove after this, wafer surface will stay with the film structure. The part can be eliminated within the aperture shape is thin film or residual island. Keywords: the photoresist, Exposure; Bake; Enhancement; prospects基本光刻工艺流程— 1 基本光刻工艺流程—从表面准备到曝光1.1 光刻十步法表面准备—涂光刻胶—软烘焙—对准和曝光—显影—硬烘焙—显影目测—刻蚀—光刻胶去 除—最终目检。1.2 基本的光刻胶化学物理属性1.2.1 组成 聚合物+溶剂+感光剂+添加剂,普通应用的光刻胶被设计成与紫外线和激光反应， 它们称为光 学光刻胶（optical resist），还有其它光刻胶可以与 X 射线或者电子束反应。 ■负胶：聚合物曝光后会由非聚合态变为聚合状态，形成一种互相粘结的物质，抗刻蚀的， 大多数负胶里面的聚合物是聚异戊二烯类型的，早期是基于橡胶型的聚合物。 ■正胶：其基本聚合物是苯酚-甲醛聚合物，也称为苯酚-甲醛 Novolak 树脂，聚合物是相对 不可溶的，在用适当的光能量曝光后，光刻胶转变成可溶状态。第 1 页/共 9 页集成电路制造工艺1.2.2 光刻胶的表现要素 ■分辨率：resolution capability、纵横比-aspect ratio（光刻胶厚度与图形打开尺寸的比值、 正胶一般比负胶有更高的纵横比）。 ■粘结能力：负胶的粘结能力通常比正胶强一些。 曝光速度、灵敏性和曝光源：反应速度越快，在光刻蚀区域晶圆的加工速度越快；灵敏性是 与导致聚合或者光溶解发生所需要的能量总和相关的；波长越短的射线能量越高。 ■工艺宽容度：工艺维度越宽，在晶圆表面达到所需要尺寸的可能性就越大。 ■针孔：针孔是光刻胶层尺寸非常小的空穴，光刻胶层越薄，针孔越多，典型的权衡之一； 微粒和污染水平、阶梯覆盖度和热流程。 1.2.3 正胶和负胶的比较 直到 20 世纪 70 年代中期，负胶一直在光刻工艺中占主导地位，到 20 世纪 80 年代，正胶逐 渐被接受。两者相比优缺点如下：正胶的纵横比更高、负胶的粘结力更强曝光速度更快、正 胶的针孔数量更好阶梯覆盖度更好，但成本更高、正胶使用水溶性溶剂显影而负胶使用有机 溶剂显影。 光刻胶的物理属性 1.2.4 光刻胶的物理属性 ■固体含量：solid content 一般在 20%-40%。 ■粘度：测试方法有落球粘度计量器、Ostwalk-Cannon-Fenske 方法、转动风向标法、粘度 单位是厘泊（centipoise），另一种单位称为 kinematic 粘度，它是 centistoke，由 粘度（厘 泊）除以光刻胶密度而得到，默认温度为 25 度。 ■折射系数：index of refraction，对于光刻胶其折射率和玻璃接近约为 1.45。 ■储存与控制： 光热敏感度、粘性敏感度、清洁度……1.3 光刻工艺剖析1.3.1 1.3.1 表面准备 ■微粒清除：高压氮气吹除、化学湿法清洗、旋转刷刷洗、高压水流。 ■脱水烘焙：低温烘焙（150~200℃），憎水性-hydrophobic 亲水性-hydrophilic ■晶圆涂底胶：HMDS（六甲基乙硅烷） 沉浸式涂底胶、旋转式涂底胶、蒸气式涂底胶。第 2 页/共 9 页集成电路制造工艺1.3.2 涂光刻胶 普通的光刻胶涂胶方法有三种：刷法、滚转方法和浸泡法，IC 封装用光刻胶的涂布方法如 下：静态涂胶工艺、动态喷洒、移动手臂喷洒、手动旋转器、自动旋转器、背面涂胶。 1.3.3 软烘焙 热传递的三种方式：传导、对流和辐射；常用的软烘焙加热方式如下：对流烘箱、手工热板、 内置式单片晶圆加热板、移动带式热板、 移动带式红外烘箱、微波烘焙、真空烘焙。 对准和曝光（ 1.3.4 对准和