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5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析（肯定工作在饱和区） （1）模型 静态值 （直流） 动态值 （交流） 非线性失真项 当，vgs 2(VGSQ- VT )时， 高次项会增加新的频率分量 交流和直流量分开 由于有输入与输出量的关系式，可以此法求动态关系 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 ?=0时 高频小信号模型 同样也可以用双端口的方法推导 解： 先求静态工作点： 确认工作于饱和区 由于gm小 FET管的Av小 共源极电路是反相放大 负的放大倍数 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5） s 带源极电阻电路分析 3. 小信号模型分析 解：例5.2.2的直流分析已求得： （2）放大电路分析（例5.2.5） s 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5） s （除掉vgs） 放大倍数在输入电阻上的分压 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.6） 共漏极电路分析 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.6） 共漏 注意共漏极时vGS的位置 共漏同共集 源极跟随器 电压增益小于1近似等于1 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析 ! *5.2.2 带PMOS负载的NMOS放大电路 本小节不作教学要求，有兴趣者自学 end 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？栅极正向偏置时栅极电流方向 2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? vGS继续减小，沟道继续变窄。 vGS 0V -1V -2V -3V VP 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS? ? iD ? g、d间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? iD基本不变 ? 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS? ? iD ? g、d间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? iD基本不变 ? 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 2. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （N沟道增强型） 比较 vGS=VT输出特性上移，转移特性右移 IDSS是vGS=0时的iD值 IDSS—饱和漏极电流 5.1.3 P沟道MOSFET P沟道MOSFET也有增强型和耗尽型两种 符号的箭头方向朝外。 电流电压方向按照电流从高电位流向低电位的原则标注 VT为负 VP为正 iD iD 低 低 更低 更低 更低 更低 iD iD 横坐标下移 纵坐标左移 全用反向 P沟道增强型MOSFET -3V iD假设流入漏极 可变电阻区 vGS ≤VT vDS≥（vGS－VT） 饱和区 vGS ≤VT vDS≤（vGS－VT） P沟道增强型MOSFET -3V KP是P沟道器件的电导参数 5.1.4 沟道长度调制效应 饱和区的曲线并不是平的 实际问题： 饱和区的iD曲线随着vDS增大而略有增大 与沟道长度有关 引入沟道长度调制参数λ 修正后 L的单位为?m-沟道长度 表示iD仍受vDS的控制 5.1.4 沟道长度调制效应 曲线应该是一个直线 上式表示一个什么曲线？ 对确定的FET应该是一常数 vDS控制iD的特性分析： 5.1.4 沟道长度调制效应 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，曲线是平坦的。 沟道越长，曲线越平 曲线和vDS轴的交点 应该和输出曲线是什么关系？ 部分重合 放大倍数变小 Kn小 5.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 NMOS增强型考虑沟道调制效应时 1. 开启电压VT （增强型参数） 2. 夹断电压VP （耗尽型参数） 3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） 4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ） 二、交流参数 1. 输出电阻rds 当不考虑