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失效分析附其在保证电子产品可靠性中作用

失效分析及其在保证电子产品可靠性中的作用 ? 本报编辑:韩双露 时间: 2009-3-19 10:55:13 来源: 电子制造商情 李少平 1 电子产品失效分析概述 失效分析(FA)是指为了确定失效部件的失效模式、失效机理、失效原因以及失效后果所作的检查和分析。 电子产品失效分析利用电分析、形貌分析、成分分析、物理参量分析、应力试验分析等手段求证失效样品的失效证据,根据失效证据与失效机理的内在联系,并结合样品现场的失效信息,诊断失效样品的失效机理、失效原因。 在电子产品中,FA的对象是电子元器件,电子元器件主要包括要电容器、电阻器、电感器、继电器、连接器、滤波器、开关、晶体器件、半导体器件(包括半导体分立器件、集成电路)、纤维光学器件、组件(具有一定功能、独立封装的电子部件,如DC/DC电源,晶体振荡器等)等。 失效是指电子元器件丧失或部分丧失了预定的功能。 失效模式是指电子元器件失效的外在宏观表现。对于半导体分立器件失效模式主要有开路、短路、参数漂移(退化)、间歇失效,密封继电器失效模式主要有接触不良、触点粘接、开路、断路,瓷介电容失效模式主要有开裂、短路、低电压失效。不同类别的电子元器件失效模式的表现各不相同,既使对同一门类的电子元器件,由于其原理、结构和电气性能的差异失效模式的表现也不尽相同。失效模式的确认是失效分析工作的重要的环节,失效模式确认需要借助于观察、测试等技术方法。 失效机理是指电子元器件失效的物理、化学变化,这种变化深层次的意义指失效过程中元器件内部的原子、分子、离子的变化,以及结构的变化,是失效发生的内在本质。电子元器件的失效机理可分为机械失效机理,如磨损、疲劳、断裂等;电失效机理,如静电放电损伤、电压引起的场致击穿和退化、电流引起热致击穿和退化等;热失效机理,如热引起的物态变化、结构变化等;反应失效机理,如腐蚀、合金、降解等;电化学机理,如化学电迁移、源电池效应等;产品特有的失效机理,如CMOS集成电路的闩锁效应、金属化铝电迁移效应、热电子效应、陶瓷电容器的低电压失效、塑封器件的爆米花效应等机理。这些机理对于不同的电子元器件失效模式表现各不相同。 应力是驱动产品完成功能所需的动力和产品经历的环境条件,是产品退化的诱因,如铝电解电容器在温度作用下,电容器内部的电解液蒸发,逐步引起电容量下降失效,这个过程中温度就是铝电解电容器失效的诱发应力。应力包括物理应力和化学应力,物理应力常见的有热(温度)、电(电压、电流、功率)、力(机械)、光(包括射线)等,化学应力常见的有水汽(潮湿)、污染等。 失效原因是指导致失效发生的外在影响因素,一般指引起失效发生的直接影响因素,影响因素一方面是产品缺陷,即电子元器件在设计、材料、制造工艺存在的引起失效的直接原因;另方面是外部诱发应力,以及应力的产生原因,如使用过程的电压、电流、功率、温度、湿度、环境的腐蚀性气体等。失效原因的确定相当复杂,但是只有正确的分析和确认失效原因,对于失效发生的控制和改进措施才能做到有的放矢。 2 失效分析程序和方法 失效分析所采用的分析手段就其作用后果来说,可分为非破坏性分析和破坏性分析。非破坏性分析对失效样品没有破坏作用,但破坏性分析对失效样品具有破坏作用,而且,这种破坏是一种不可逆反的破坏,如果分析过程中已经进行了不可逆反的破坏性分析,而丢失了未获得的失效信息,则失效分析面临失败的危险。因此,失效分析过程必须遵循图1所示的基本流程。 ??? 图1 失效分析基本程序 2.1? 失效样品信息 失效样品信息包括基本信息和技术信息。基本信息指失效样品的产品信息,如产品功能、工作原理、性能指标、产品结构、制造工艺,该型号产品的使用历史情况;技术信息指失效样品失效时的信息,如的工作条件,整机的故障表现和故障定位情况,失效样品的失效特征,应用电路,供电情况,环境条件,失效样品的采购批使用前的经历,该型号产品的使用历史情况(失效率及失效表现)等。 失效样品的信息决定失效分析方案、采用合适的分析方法,是机理诊断的重要依据,也是失效分析最终必须解释问题。 2.2? 失效模式确认 失效模式确认是对失效现场报告的失效进行验证的过程。失效模式确认的结果可能是失效样品没有失效表现,或失效样品已经失效。失效样品已经失效可能表现为稳定失效,或不稳定失效。通过失效模式确认的结果,结合失效现场的信息,制定失效分析方案才能有的放矢的进行失效分析。例如,失效报告出现多只比较器(IC)端口之间漏电(板上测试)失效,在失效模式确认中发现板上卸下的IC端口均没有漏电的问题,显然,板上测试到的漏电问题并不是IC的漏电,而是IC之外、板上其它部位漏电,因此,本次所需分析应转入对板上其它部位的漏电进行分析。 2.3? 外观检查 元器件的外观检查十分重要,它往往会为后续的分析提供重要信息。首先,

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