传感器的原理及应用-基本概念 .pptVIP

　光电式传感器 §光电效应 §光电传感器的应用 　光电式传感器 概　述 【能量变换】光电式传感器是一种将光能变化转换为电量变化的传感器 。 　光电式传感器 概　述 【原理】光电效应 【用途】用途很广：烟度测量、转速测量、　　　　光电开关、太阳能利用。 【类型】外光电效应的光电器件（光电管、　　　　　光电倍增管） 　内光电效应的光电器件（光敏电阻、　　　　　光电池、光敏管、CCD） 【特点】灵敏度高；线性度较低；初始电流　　　　不为零。 光电效应 一、外光电效应（物体内的电子向外发射） 在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面，向外发射的现象。 一、外光电效应 根据爱因斯坦光电效应方程： 式中: ——普朗克常数； ——光的频率； ——电子质量； ——电子逸出速度； ——电子逸出功。 光电效应一、外光电效应 由光电效应方程式可知： (1) 光电子产生的条件是： (即:光子能量＞逸出功) 由于ｈ为常数，要满足上述条件，必须是频率γ有足够大，每一种物体都有一个对应的频率阈值，称为红限频率（或波长限）。 光电效应一、外光电效应 (2) 当光频γ一定时，产生的光电流大小与入 射的光子数目成比例 即光电流与光强（或光通量）成比例。 (3) 光电子一旦产生，便具有初始动能 。 因此光电管即便没有外加工作电压也会有光电流产生，为使初始光电流为零，必须加负的截止电压。 光电效应二、内光电效应 材料内部电子的运动状态发生变化 1、光电导效应 ——在光线作用下，电子吸收光子能量从健合状态（一种平衡状态）过渡到自由状态，从而引起材料电阻率的变化。 　电子能量级示意图 　　产生光电导效应的条件是：光子能量hγ必须大于半导体材料的禁带宽度　　。 二、内光电效应1、光电导效应 二、内光电效应1、光电导效应 即 式中 ——入射光的波长； 　 　　——光的传播速度； 　　　 ——普朗光常数。 由此可得吸收波长的最大极限为： 　 　只有在光波长小于值时，才能产生光电导效应。 二、内光电效应2、光生伏特效应 在光线作用下，半导体物体产生一定方向的电动势。 (1) 结光电效应（势垒效应）:光线照射半导体结 (ｐｎ结)时，所产生的光电动势。 (2) 侧向光电效应: 半导体器件受光照不均匀时，由于载流子浓度不同而产生光电动势。 光电传感器的应用、太阳能电池 主要组成部分 1、太阳电池方阵：若干片性能相近的光电池将太阳能转变为电能。 2、蓄电池：贮存电能。 3、调节控制器：调节控制充放电。 4、阻塞二极管：阻止蓄电池电池倒流。 5、逆变器：将直流电转换为交流电。 §7-5 光电传感器的应用五、光电脉搏传感器 （1）反射式 　　血管的脉压变化时，反射系数也发生变化，光敏电阻接收到的光也发生变化。 §7-5 光电传感器的应用五、光电脉搏传感器 （2）透射式 　光被血液吸收和衰减，由于血管中的血液成脉动变化，故光敏三极管吸收到的光也成脉动变化。