PINIP结构a-Si∶H多色光电探测器电路模型研究.pdfVIP

　第 20 卷第 7 期 半　导　体　学　报 . 20, . 7 V o l N o 　1999 年 7 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S July, 1999 结构 - ∶ 多色光电探测器 P IN IP a Si H 电路模型研究 陈维友　刘式墉 ( 吉林大学电子工程系　长春　130023) 摘要　本文以 P IN IP 结构各区载流子速率方程为基础, 综合考虑了各区的多种物理过程, 在适 当的近似条件下, 给出一个完整的 P IN IP 多色光电探测器电路模型. 该模型的模型参数直接与 各区的几何及电学参数相联系, 对于器件的优化设计尤其方便. 该模型可在开发O E IC 电路模 拟软件中采用, 亦可加到现有电路模拟软件中. 它可用于直流、交流、瞬态分析. : 4140, 4130, 1130 EEACC B 1　引言 对光电集成回路(O E IC ) 进行计算机辅助分析(CAA ) 是设计高性能O E IC 的一个重要 环节. 实现 的首要任务是开发光电子器件电路模型, 电路模型的优劣直接关系 O E IC CAA 到模拟软件的质量和模拟结果的精度. 微电子电路的 CAA 已经比较成熟, 国际上已有很多 模拟软件推出, SP ICE 就是其中最为著名的一个. 随着电子技术的发展, 会涌现出现有模拟 器所不能处理的新结构、新功能器件, 这样, 就需要不断地对现有软件进行完善和扩充. 因 此, 可以说科技不停步, CAA 软件开发与完善工作就不会终止. 目前微电子CAA 的发展趋 势是把工艺模拟、器件模拟和电路模拟有机地结合起来, 形成一个具有良好用户界面的集成 设计系统. 工作只是近几年的事. 目前的主要工作是开发各种光电子器件电路 O E IC CAA [ 1～ 3 ] 模型. 已开发的光电子器件电路模型有体材料半导体激光器电路模型 、量子阱结构半导 [ 4 ] [ 5 ] [ 6 ] 体激光器电路模型 、 光电二极管电路模型 、 光电二极管电路模型 , 雪崩 M SM P IN P IN [ 7 ] 光电二极管电路模型 等. 氢化非晶硅( ∶ ) 因其成本低、工艺简单而成为重要的半导体材料. 由于氢化非晶 a Si H 硅具有低的载流子迁移率和高的光敏感