脉冲偏压电弧离子镀室温沉积非晶TiO2薄膜.pdfVIP

脉冲偏压电弧离子镀室温沉积非晶Ti02薄膜 张 敏①② 林国强①③ 董 闯①⑦ 闻立时①② (①大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连116024} ②大连理工大学材料科学与工程学院，大连116024； ③大连理工大学物理系，大连116024) 摘 要：合理匹配频率和占空比，有效抑制由电荷累积导致的微弧放电，采用脉冲 偏压电弧离子镀技术在载玻片上成功制备均匀透明的非晶TiO。薄膜，偏压变化范 围O～900V。用XRD和AFM表征薄膜的相结构和微观形貌；用纳米压痕仪测量 薄膜的显微硬度和弹性模量；用紫外一可见分光光度计测量薄膜的吸收光谱和透射 光谱，用SCOUT软件计算得到薄膜的折射率和厚度。分析结果表明，室温下沉积 得到的薄膜为非晶态。TiO。薄膜的RMS粗糙度和沉积速率随脉冲偏压的增大先增 薄膜的硬度和弹性模量与脉冲偏压的关系有类似的趋势。随着脉冲偏压幅值增大， Ti0：薄膜的吸收边红移，一100V时薄膜的吸收波长最大，偏压继续增大，吸收边 开始蓝移。对于波长为550nm的光，一300V时薄膜折射率最高，约为2．51， 一IOOV时薄膜的折射率最低。在同样条件下退火后，薄膜相结构转变为锐钛矿相 二氧化钛，且均在A(101)面择优生长。随着脉冲偏压的增大薄膜的择优取向性 增强，但其择优峰峰强减弱。 关键词：非晶TiO。薄膜；脉冲负偏压；电弧离子镀}力学性能；光学性能 of TitaniumDioxideFilm DepositionAmorphous by PulsedbiasArcIon atRoom Plating Temperature Min①oLin WenLishi② DongChuang①o Zhang Guoqiang①o LabofMaterialModification ElectronBeams，Dalian (①State Laser，Ion，and 116024； Key by ofMaterialScienceand of 116024； ②Sch001 UniversityTechnology，Dalian Technology，Dalian of of 116024) UniversityTechnology，Daliant ③DepartmentPhysics，Dalian arcscaused accumulationwererestrainedreasonable Abstract：Microbycharge by of and matching frequencydutycycle．HomogenoustransparentAmorphous pulse filmwas onslide biasarcion Ti02 successfullydeposited glassbypulsed plating，’