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基体负偏压对SiCN薄膜结构和性能的影响
高 鹏 徐 军 朴 勇 丁万昱王德和董 闯
(大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连116024)
摘 要：Si。N。是一种介电材料，SiC是一种半导体材料，两者的结合将可能是一
种具有宽的带隙光学和电学性质的超硬材料。本文采用微波-ECR等离子体增强非
平衡磁控溅射技术制备SiCN薄膜，并对薄膜的化学结构、力学性能进行了表征。
研究表明基体负偏压是影响薄膜结构和性能的重要参数。随着基体负偏压的增大
先增加后减小；薄膜为非晶结构。上述结果表明由于基体偏压的增加，薄膜中的高
键合能的C—N键的含量，膜中Si、C、N各元素的化学配比发生改变，导致薄膜
结构和性能的变化。
关键词：微波-ECR；非平衡磁控溅射；薄膜结构
the and
TheEffectofSubstrateBias Varietieson Structure
Voltage
’theoftheSiCNThinFilms
Properties
Gao Xu Piao Dehe
Peng Jun YongDingWanyuWang DongChuang
ofMaterialsModification andElectron
(State Laser，Ion Beams，
KeyLaboratory by
Dalian of 116024)
UniversityTechnology，Dalian
nitrideiSadielectric carbideiSasemiconductor
Abstract：Silicon materiaI；silicon
themwouldbe andhasbroad
material。80thematerialcombinedwith super-hard
bandand electric obtainedtheSiCNthinfilms
opticalgap good properties．We by
microwave-ECRenhancedunbalanced
plasma magnetronsputteringtechnique，
chemical andmechanic resultsshowthatcar-
studiedthe structure properties．The
the and ofthethin
boncontenthasan affectionon structurethe
important property
films．Withthesubstratebias jncreasesfrom一50Vto一250V，thesurface
voltage
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