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LDMOS晶体管新型器件结构的耐压分析
第 20 卷第 9 期 半 导 体 学 报 . 20, . 9
V o l N o
1999 年 9 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S Sep. , 1999
LDMO S 晶体管新型器件结构的耐压分析
1, 2 1 2 2
唐本奇 罗晋生 耿 斌 李国政
( ) ( )
1 西安交通大学 西安 710049 2 西北核技术研究所 西安 710024
摘要 本文提出了一种新型的内置 横向 结构, 并对其进行了耐压分析, 结果表
FR JT E DM O S
明, 该结构具有与R ESU R F 器件相媲美的击穿电压, 并且工艺简单, 受工艺参数波动的影响较
小, 相对于内场限环结构, 其耐压高且导通电阻低, 因而不失为一种较为实用的提高横向功率器
件耐压的新途径.
: 2560 , 2560
EEACC B R
1 引言
LDM O ST 是目前广泛应用于高压集成电路(HV IC ) 中高频高压和低电流领域的横向
短沟道多子器件, 其耐压能力为该器件性能研究的一个重要方面. 为在外延层上制作出具有
一定电流能力的高耐压LDM O ST , 先后提出了诸多的改进器件结构, 其中, 内场限环结构因
工艺简单, 提高耐压效果好, 且避免了 R ESU R F 技术对工艺参数的敏感性, 而成为一种具
有发展潜力的技术.
内场限环结构LDM O S 晶体管的击穿电压, 主要由栅场板末端和场限环曲率部分的两
[ 1 ]
处峰值电场决定. 从模拟结果可以看出 , 与R ESU R F 器件相比, 内场限环结构虽然避免了
[ 2 ]
对工艺参数的依赖性, 但其耐压保护能力仍嫌不足. 为此,N ezar 指出 , 可采用双重或多重
内场限环结构的方法, 来进一步提高器件的耐压. 对于横向器件, 这势必会引起器件的漂移
区长度的加大, 使其所占用的芯片面积成比例增长, 从而导致器件的比导通电阻值大幅度上
升, 显然, 该方法存在着巨大的缺陷.
基于以上认识, 本文提出了一种新型的横向高压器件结构, 并通过数值模拟的方法, 对
其反向击穿电压和正向 特性和器件的导通电阻开展了模拟分析和参数优化.
I V
2 新型横向高压器件提出的基本思路
本文提出的高压LDM O ST 新型器件结构如图 1 所示, 与内场限环结构LDM O ST 相
比, 仅在内场限环结的边缘处, 通过离子注入引入了一定数量的电荷, 并经过与 P 沟道结同
时深推, 使其超过环结深度, 形成了结终端扩展保护区, 由此改变了环结体内及表面的电场
唐本奇 男, 1966 年出生, 博士, 现从事功率器件及其核辐射效应研究
收到,定稿
9 期 唐本奇等: 晶体管新型器件结构的耐压分析
LDM O S 777
分布, 降低了内场限环结的表面峰值电场. 通过内场
限环耗尽区电场的作用, 来平缓栅场板末端峰值的电
场, 又利用结终端扩展技术对内场限环的曲率结实行
耐压保护
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