应用于对等速率10G-EPON的10Gbit／s突发模式激光-东南大学学报.PDF

第４１卷第５期 东南大学学报（自然科 学版 ） Ｖｏｌ．４１Ｎｏ．５ 　 ２０１１年９月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＯＵＴＨＥＡＳＴＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ） 　 Ｓｅｐｔ．２０１１ ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１－０５０５．２０１１．０５．００４ 应用于对等速率１０ＧＥＰＯＮ的１０Ｇｂｉｔ／ｓ突发模式 激光驱动器设计 １ ２ １ １ １ 林　叶　王　健　朱　恩　顾皋蔚　刘文松 １ （东南大学射频与光电集成电路研究所，南京２１００９６） ２ （中国科学院自动化研究所，北京 １００１９０） 摘要：针对ＩＥＥＥ８０２３ａｖ标准所定义的对等速率万兆以太无源光网络（１０ＧＥＰＯＮ）ＯＮＵ相关 应用，设计了一种１０Ｇｂｉｔ／ｓ突发模式激光驱动器芯片，并对调制电路和偏置电路的设计进行了 改进，以实现较短的突发开启／关断转换时间．本设计采用低成本的０１８ ｍＣＭＯＳ工艺进行流 μ 片，整个芯片面积为５７５ ｍ×６７５ ｍ．测试表明：该芯片可工作在１０３１２５Ｇｂｉｔ／ｓ的速率上；当 μ μ 电源电压为１８Ｖ时，可对５０ 负载提供高达３６ｍＡ的调制电流．突发开启／关断转换时间均 Ω 小于０２ｎｓ，远低于ＩＥＥＥ８０２３ａｖ标准所规定的上限．该突发模式激光驱动器的输出满足１０Ｇ ＥＰＯＮ时序参数的规定，适用于１０ＧＥＰＯＮＯＮＵ相关应用． 关键词：万兆以太无源光网络（１０ＧＥＰＯＮ）；激光驱动器；突发模式；ＩＥＥＥ８０２３ａｖ；ＣＭＯＳ 中图分类号：ＴＮ９１１　　文献标志码：Ａ　　文章编号：１００１－０５０５（２０１１）０５０９１１０６ １０Ｇｂｉｔ／ｓｂｕｒｓｔｍｏｄｅｌａｓｅｒｄｉｏｄｅｄｒｉｖｅｒ ｆｏｒｓｙｍｍｅｔｒｉｃｒａｔｅ１０ＧＥＰＯＮａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ １ ２ １ １ １ ＬｉｎＹｅ　ＷａｎｇＪｉａｎ　ＺｈｕＥｎ　ＧｕＧａｏｗｅｉ　ＬｉｕＷｅｎｓｏｎｇ １ （ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＲＦａｎｄＯＥＩＣｓ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９６，Ｃｈｉｎａ） ２ （ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＡｕｔｏｍａｔｉｏｎ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１００１９０，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａ１０Ｇｂｉｔ／ｓｂｕｒｓｔｍｏｄｅｌａｓｅｒｄｉｏｄｅｄｒｉｖｅｒｉｓｄｅｓｉｇｎｅｄ，ｗｈｉｃｈｉｓｏｐｔｉｍｉｚｅｄｆｏｒｓｙｍｍｅｔｒｉｃ ｒａｔｅ１０ＧＥＰＯＮｏｐｔｉｃａｌｎｅｔｗｏｒｋｕｎｉｔ（ＯＮＵ）ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｄｅｓｃｒｉｂｅｄｉｎｔｈｅＩＥＥＥ８０２３ａｖｓｔａｎｄａｒｄ． Ｓｅｖｅｒａｌｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔｓａｒｅｉｍｐｌｅｍｅｎｔｅｄｉｎｔｈｅｄｅｓｉｇｎｏｆｔｈｅｍｏｄｕｌａｔｉｏｎｃｉｒｃｕｉｔａｎｄｔｈｅｂｉａｓｃｉｒｃｕｉｔ，ｉｎ ｏｒｄｅｒｔｏｓｈｏｒｔｅｎｔｈｅｂｕｒｓｔｔｕｒｎｏｎ／ｏｆｆｄｅｌａｙｓ．Ｉｔｉｓｄｅｓｉｇｎｅｄｗｉｔｈａｌｏｗｃｏｓｔ０１８ ｍＣＭＯＳ