异常霍尔效应的新发展-台大物理系.PDF

異常霍爾效應的新發展 中央研究院物理研究所 李偉立 摘要 本文回顧近年來異常霍爾效應的新發展，描述異常霍爾效應理論的突破性發展，並於實 驗中一系列的 Spinel 結構 CuCr Se Br 鐵磁單晶系統獲得嚴格的驗證。 Berry’s 相位的發展歷 2 4−x x 史及數學形式，以及與異常霍爾效應理論的關聯，本文中會做深入的描述。從實驗數據中， 我們驗證了 Spinel 結構 CuCr Se Br 鐵磁單晶系統中的異常霍爾導電率與載子半生期不相 2 4−x x 關，此外我們亦發現橫向裴爾提係數 α 遵守一簡單的關係式，這些實驗結果皆與異常速率理 xy 論的推論十分吻合。最後，本文亦會探討相關於異常霍爾效應的發展以及其未來的走向。 一、前言： 斜率的大小可進一步決定其載子濃度(carrier 異常霍爾效應 (Anomalous Hall effect)的 concentration) 。但是在磁性材料中，實驗量 發現距今已超過一個世紀。西元 1879 年，霍 測的霍爾電壓並不是單調的隨外加磁場呈線 爾 ‧艾德文(E.H. Hall)發現當電流通過金箔 性增加，因此被稱為異常霍爾效應。從許多 時，等位面 (equal potential line)會受到外加磁 的實驗結果發現霍爾電阻率 (Hall resistivity, 場而有偏斜的現象。這現象即是廣為熟知的 ρH 可以用下面的公式來描述：) 「霍爾效應(Hall Effect) 」。當時的霍爾‧艾 ρH = R0B+ρH , ρH ≡Rsµ0M (1) 德 文 為 美 國 約 翰 霍 普 金 斯 大 學 (Johns ，其中B 為磁場強度、 ρ 為異常霍爾電阻 H Hopkins University)的物理博士候選人，致力 率、M 為材料的磁化強度(magnetization) ，而 於量測各種不同材料之中等位面隨外加磁場 R0 、Rs 分別為正常霍爾係數(normal Hall 的變化。他從實驗結果中 [1] ，更進一步的發 coefficient)及異常霍爾係數(anomalous 現，具有磁性之材料 (如鐵、鈷、鎳的等位) Hall coefficient)。至於 ρ 的物理產生機 H 面偏斜現象又更為特殊。霍爾效應的發現在 制以及為何正比於 M，直到最近幾年才有定 當時便受到極大的重視，然而由於當時對於 論。 材料電性的知識缺乏，它的物理機制一直是 1950年代，量子力學蓬勃發展，並且成 很大的謎團。值得一提的是，電子 (electron) 功的應用於解釋固體(solids)的傳輸特性。 的概念於 1897 年才首次被提出，比霍爾效應 針對異常霍爾效應的發生機制，在當時有兩 的發現整整晚了十八年！由此可見霍爾效應 個不同的理論被提出。第一個理論是由 的發生原理在當時是超乎理解的程度。直至 Karp