影像本科授课课件.PPT

三极管的技术数据：（自学） （1）电流放大倍数? （2）集-射间穿透电流ICEO （3）集-射间反向击穿电压UCEO (BR) （4）集电极最大电流ICM （5）集电极最大允许功耗PCM * * 第二章 放大器的基本原理 内容简介 半导体的基础知识，P型硅，N型硅 PN结及半导体二极管 稳压二极管 半导体三极管 2.2.2 PN结的单向导电性 PN结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P区加正、N区加负电压。 PN结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区加负、N区加正电压。 PN结正向偏置 － － － － + + + + 内电场减弱，使扩散加强， 扩散?飘移，正向电流大 空间电荷区变薄 P N + _ 正向电流 PN结反向偏置 － － － － + + + + 空间电荷区变厚 N P + _ + + + + － － － － 内电场加强，使扩散停止， 有少量飘移，反向电流很小 反向饱和电流 很小，?A级 2.2.3 半导体二极管 (1)、基本结构 PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。 P N P N 符号 阳极 阴极 (2)、伏安特性 U I 导通压降: 硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。 反向击穿电压U(BR) 死区电压 硅管0.5V,锗管0.2V。 U I E + - 反向漏电流 （很小，?A级） （3）静态电阻Rd ，动态电阻 rD UQ IQ US + - R 静态工作点Q（UQ ，IQ ） （3）静态电阻Rd ，动态电阻 rD i u IQ UQ Q ?IQ ?UQ 静态电阻 ：Rd=UQ/IQ （非线性） 动态电阻： rD =?UQ/ ? IQ 在工作点Q附近，动态电阻近似为线性，故动态电阻又称为微变等效电阻 例1：二极管：死区电压=0 .5V，正向压降 ?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 RL ui uO ui uo t t 二极管半波整流 例2：二极管的应用 R RL ui uR uo t t t ui uR uo 利用二极管的特性可以作半波整流和产生正负脉冲 §2.3 稳压二极管 IZmax + - 稳压二极管符号 U I UZ IZ 稳压二极管特性曲线 IZmin 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,当工作电流IZ在Izmax和 Izmin之间时,其两端电压近似为常数 正向同二极管 稳定电流 稳定电压 例：稳压二极管的应用 RL ui uO R DZ i iz iL UZ 稳压二极管技术数据为：稳压值UZW=10V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，负载电阻RL=2k?，输入电压ui=12V，限流电阻R=200 ? 。若负载电阻变化范围为1.5 k? ~4 k? ，是否还能稳压？ RL ui uO R DZ i iz iL UZ UZW=10V ui=12V R=200 ? Izmax=12mA Izmin=2mA RL=2k? (1.5 k? ~4 k?) iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA）；i= （ui - UZ）/R=（12-10）/0.2=10 （mA） ；iZ = i - iL=10-5=5 （mA） RL=1.5 k? , iL=10/1.5=6.7(mA), iZ =10-6.7=3.3(mA) RL=4 k? , iL=10/4=2.5(mA), iZ =10-2.5=7.5(mA) 负载变化,但iZ仍在12mA和2mA之间,所以稳压管仍能起稳压作用 稳压二极管考察是否稳压的标准： Imax~Imin 稳压值 §2.4 半导体三极管 2.4.1 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 B E C NPN型三极管 B E C PNP型三极管 三极管符号 N P N C B E P N P C B E B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区:较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区:掺杂浓度较高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 + + + + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + + + + 2.4.2 电流放大原理 B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 1 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，