新型CCD横向位移量测技术.PDF

新型CCD 橫向位移量測技術 邱銘宏 林逸智 蘇建銘 國立虎尾科技大學 國立虎尾科技大學 國立虎尾科技大學 mhchiu@.tw mjmjkl@ keivnsue2222@ 摘要 本論文提出CCD 臨界角法橫向位移量測之研究來觀測橫向移動800lines/mm 光柵的微 小位移量，利用數值孔徑為0.7 放大倍率為 100 倍以提高橫向位移的解析度，並搭配臨 界角法來提升位移量測的靈敏度，再以CCD 來做影像擷取，經由Matlab 程式判斷及分 析出光強度變化的趨勢，最後用Matlab 程式換算出橫向位移量，橫向解析度在0.3μm 。 本實驗優點具有非接觸性、非破壞性且因使用強度法不採用干涉方法大大降低成本與相 位擾動且可即時量測橫向位移量，將可應用在精密定位與加工之用途上 關鍵字: 臨界角法、橫向位移量測、穿透式光柵 壹、前言 在科技日新月異的變遷下，高科技製程技術越來越精密，相對的所要求的精度也就越 高，因此微定位及微小位移量測就是一門很重要的技術工程。在製程或是觀測上，唯有 精確的定位才能達到目標，而量測位移的工具有很多種，例如: 線性電位計、線性可變 差動變壓器、電容式測微器、光學尺及雷射干涉儀等等，每一種的量測範圍、解析度及 精確度都不太相同，其中傳統的探針式量測是以接觸式進行位移量測，由於接觸式會破 壞待測物表面，造成不必要的影響，而光學量測方法具有非接觸性、非破壞性、成本較 低且高精度等優點，一直是人們發展的重點，這也是我們要研究新型 CCD 橫向位移量 測術的原因，希望可以實現低成本、架設簡單、高解析度的量測系統。 貳、研究方法 CCD 臨界角法橫向位移量測[1]之研究主要分為光學架構、軟體分析及硬體驅動部分， 其中光學架構即是經濾波及準直的平行雷射光打在待測物上，在透過物鏡與透鏡放大成 像在CCD 上，軟體分析是用Matlab 進行數據分析，將實驗所量測到的數據，透過Matlab 分析並比對出橫向位移量，在硬體驅動部分又分為單軸移動平臺控制與 CCD 擷取影像 兩部份，本實驗將待測物置於單軸移動平臺上，透過電腦將此待測物自動移動到所要的 位置，此時CCD 就會擷取影像。 一、CCD 臨界角法橫向位移量測架構 1 Objective 1 Lens2 Objective 2 Parallelogram Lens1 He-Ne Laser P(0°) λ/4 P(0°) Prism CCD Sample Rotation stage Pinhole translator PC 圖1 CCD 臨界角法橫向位移量測實驗架構 CCD 臨界角法橫向位移量測架構圖如圖1 所示，以下是對架構器材的詳細介紹: (1) He-Ne Laser(氦氖雷射) ：為波長632.8nm 之系統光源，最大光功率為17mW 。 (2) Isolator(光阻隔器) ：由偏極片和四分之ㄧ波片所組成，是為了避免系統雷射的反 射光回到雷射，造成雷射不穩與訊號幹擾，影響雷射及量測精準度。 (3) Spatial filter( 空間濾波器): 由物鏡(Objective 1)(NA=0.4)與針孔(pinhole)所組 成，當雷射光經過