漏电流元件萃取晶片之设计-国家晶片系统设计中心.DOC

CMOS彩色感光像素 CMOS Color Imager Pixels IC 編號：T18-92F/37t 指導教授：陳自強 中正大學電機所 電話：(05)2720411 ext 33207 傳真：(05)2720862 E-mail:oscal@ee.ccu.edu.tw 設計者：劉維鈞 中正大學電機所碩士班 電話：0939289421 傳真：(05)2720862 E-mail:wcliu@samlab.ee.ccu.edu.tw 一、中文摘要 本梯晶片利用RF製程中的Deep-Nwell來作為一層感光接面，產生了N-diffusion_P-well_Deep –N-well_P-substrate的接面結構之CMOS光電二極體。結構的CMOS光電二極體產生了三組PN接面，利用這三組PN接面，我們分別取得了三組不同的頻譜響應，在可見光的頻段，其峰值波長分別為700nm、570nm以及580nm。在I-V特性的量測上，Ndiffusion-Pwell接面因為是高摻雜濃度的PN接面，因此其崩潰電壓為-1V；Pwell-Deep Nwell的摻雜濃度比Ndiffusion-Pwell還低，所以崩潰電壓比較高，為-1V；Deep Nwell-Psubstrate的崩潰電壓最高，為-3V，此種結果與我們所預期之結果相差過大，我們推測應該是pad處的歐姆接觸做得不好所造成。 關鍵字：光電二極體、頻譜響應 Abstract The layer of the Deep-Nwell common used in RF process was utilized, and the CMOS photodiode with N-diffusion_P-well_Deep-N-well_P-substrate junction was designed. This photodiode forms three PN junctions. The three kinds of photo-response was extracted by different junction connection and the peak of the responsivity are 700nm, 570nm and 580nm, respectively. The breakdown voltage of each PN junction is measured. The measurement results show that the breakdown voltage of Ndiffusion-Pwell is –1V and that of Pwell-Deep Nwell is –1V and that of Deep Nwell-Psubstrate is –3V, respectively. This measurement result is not the results that we predicted before the chip is fabricated. We guess this is come from the bad ohmic contact in the region of the pads. Keyword：photodiode, photo-response, ohmic contact 計劃緣由與目的 隨著資訊與科技技術的日新月異，再加上大量資料的傳遞與網路的興起，使得影像產品大發利市；而影像感測器正是取得影像的裝置，舉凡數位相機、掃描器、PC照相機、攝影機….都可算是影像感測器的一種，足見影像感測器在日常生活中所佔的重要性。而在影像感測器的製作過程中，彩色濾光片扮演著舉足輕重的角色，透過彩色濾光片的技術，才能做出各種色彩（通常是紅綠藍三原色）的感光像素，以便提供後級的影像處理機制來還原出原始的彩色影像。但彩色濾光片的存在一方面造成了感光像素在某些頻段響應度會降的太低，另一方面也使得製程繁瑣而提高製作成本，因此本次下線之晶片即是針對彩色濾光片所造成的這幾項缺點而提出的一種新構想。 此梯晶片我們考慮到不加彩色濾光片的彩色感光像素之可行性，而提出了一種具有可調適性頻譜響應的晶片佈局設計方式，因為不同深度的半導體PN接面，會產生不同峰值波長的頻譜響應；利用這個基本原理，配合多層PN接面的製程，可以使得同一元件擁有各種不同的頻譜響應；然後利用晶片佈局的設計，將這些不同趨勢的頻譜響應分離出來，而得到各種色彩的感光像素。利用此種設計方法，只要在適當的製程參數之配合下，就可以在無須外加彩色濾光片的情形之下，製作完成具有各種彩色感光效果的感光像素。 研究方法與成果 一般製程的光電二極