热载流子效应对GaAs光电导天线仿真的DD模型修正木-易迪拓培训.PDFVIP

第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会论文集 6l 热载流子效应对GaAs光电导天线 仿真的DD模型修正木 张李伟P尚丽平1唐金龙2夏祖学1邓琥1 (1．西南科技大学信息工程学院四川绵阳621010； 2．西南科技大学理学院四川 绵阳 621010) 摘要研究了光电导天线辐射产生的太赫兹电场强度与外加偏置电场的关系。利用太赫兹时 域光谱系统对34啪孔径GaAs偶极子光电导天线进行了测量，得到了外加16．2kV／cm电场时，辐射 太赫兹电场趋于饱和。理论分析了热载流子效应是使光电导天线辐射太赫兹电场趋于饱和的主要原 因。同时用热载流子效应修正的扩散．漂移模型结合时域有限差分方法对该天线进行了仿真，仿真与 实测数据吻合。结果表明，考虑飞秒激光照射强场条件下GaAs材料，修正的扩散．漂移模型热载流 子效应对漂移速度的影响，能准确仿真偏置电场与光电导天线辐射场强的关系。 关键词 太赫兹光电导天线扩散．漂移模型热载流子 电场饱和 1 引言 超快激光技术和超快光电导材料的进步，使太赫兹辐射产生技术研究得到飞速发展，光电导天 线(PhotoconductiveAntenna，简称PCA)作为用飞秒激光照射超快光电导材料产生太赫兹辐射的一种 重要方法，较高的产生功率和宽频带受到了广泛的关注【l】。PCA辐射太赫兹波主要由光生载流子数 目和载流子漂移速度随时间的变化率决定【2，3J，排除PCA光电导材料GaAs载流子寿命、迁移率和深 能级陷阱作用等“先天”因烈4l，外加偏置电场对PCA载流子产生及其输运也起到重要作用。 材料的PCA器件，其电场较强且变化快，会出现热载流子效应【5J，使载流子在强电场作用下的漂移 速度饱和，导致PCA辐射场强出现饱和【6]。Phumin DifferenceTime Sirbu等【l 率的变化，分析了偏置电压与光电导开关响应时间的关系。 time—domain 本文用太赫兹时域光谱(Terahertz 径GaAs偶极子PCA，在外加电场达到16．2kV／cm左右，PCA辐射太赫兹电场趋于饱和。理论分析 +基金项目：国家自然科学基金资助课题。 126．corn。 62 热载流子效应对GaAs光电导天线仿真的DD模型修正 了偏置电压增大使PCA辐射电场饱和的主要原因是：GaAs材料热载流子效应使漂移速度达到饱和 仿真了。得出结论：外加场强16．2kV／cm左右时，800nm飞秒激光照射PCA将产生热载流子效应， 使辐射电场饱和。修正的扩散．漂移模型热载流子效应对漂移速度的影响，能准确仿真偏置电场与光 电导天线辐射场强的关系。 2实验及结果分析 表1 349m孔径GaAs偶极子实验条件 ＼o勺；=一cIHII时o∞一；Q N=l-QI：【爵．Io_ 。％ 订o．2 o．3 o．4 o．5 o．6 o．7 o．8 019 i time／s x10。11 图1 34pm孔径GaAs偶极子PCA实验 兹脉冲峰值电场出现饱和[12]，如图2右上角插图所示。 3理论分析 强电场条件下电流密度(或载流子的漂移速度)与电场的关系不再满足线性的欧姆定律，主要可以 从载流子与晶格振动散射时的能量交换过程来说明【5l3|。在没有外加电场情况下，载流子和晶格散射 时，将吸收声子或发