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离子辅助沉积法制备SiO2介质薄膜的应力研究-发光学报
第33卷摇 第12期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾33 No郾12
2012年12月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Dec. ,2012
文章编号:1000鄄7032(2012)12鄄1304鄄05
离子辅助沉积法制备 SiO 介质薄膜的应力研究
2
1,2 1 1*
张金胜 ,张金龙 ,宁永强
(1. 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春摇 130033;
2. 中国科学院大学,北京摇 100039)
摘要:在高功率垂直腔面发射激光器制作工艺中,生长出低应力、高质量、高稳定性的SiO 介质层非常关
2
键。 我们使用高效率LaB 离子源辅助,在低放电电流条件下,在GaAs衬底上沉积了SiO ,并对退火的应力
6 2
影响进行了测试。 在有离子辅助沉积时,对不同生长速率、不同厚度的应力影响进行了研究,对沉积过程进
行了分析。 结果表明:离子辅助沉积的SiO 薄膜的应力远小于常规工艺条件下沉积的薄膜的应力,且退火后
2
应力变化小。
关摇 键摇 词:离子辅助沉积;SiO 薄膜;应力;退火
2
中图分类号:O484摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx1304
Study of SiO Dielectric Film Stress Grown
2
by The Method of Ion Assisted Deposition
1,2 1 1*
ZHANGJin鄄sheng ,ZHANGJin鄄long ,NING Yong鄄qiang
(1. StateKey Laboratory of Luminescence andApplications,Changchun Institute of Optics,
FineMechanics and Physics,ChineseAcademy of Sciences,Changchun 130033,China;
2. University of ChineseAcademy of Sciences,Beijing 100039,China)
*Correspon
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