ITO薄膜制作与光学及电学量测.PDFVIP

第三章 ITO 薄膜製作與光學及電學量測 3.1 濺鍍機的系統裝置 濺鍍的原理主要是利用輝光放電(glow discharge)以氬(Ar)離子去撞擊靶材， 靶材的原子被打出來而堆積在基板表面形成薄膜。與蒸鍍薄膜比起來使用濺鍍法 所得到薄膜的性質、均勻度都有較佳的表現，缺點是在鍍膜的時間上要較蒸鍍來 的慢。目前的濺鍍機台大都使用強力磁鐵使電子成螺旋狀運動來加速將靶材周圍 的氬氣離子化產生電漿，電漿中的陽離子會加速衝向負電極的靶材表面來撞擊靶 材提高濺鍍的效率。直流濺鍍通常用於金屬鍍膜，對於不導電的陶瓷材料我們則 選用射頻(RF)濺鍍的方式來製作薄膜。 一般而言，用濺鍍的方式來製作薄膜有著以下的優點：(1)金屬、合金或絕緣 物均可做成薄膜材料。(2)在適當的條件設定下對於複合物的靶材其材料組成的再 現性高。(3)在濺鍍過程通入的氣體中除了氬氣亦可通入如氧氣(O2)等活性氣體， 可以將靶材製做成複合物。(4)靶材輸入電流及濺鍍時間可以控制，容易得到高精 準度的膜厚。(5)較利於生產大面積的薄膜。(6)濺射粒子不易受重力影響，靶材 與基板位置可視需要做調整。(7)薄膜的附著強度一般為蒸鍍所製成薄膜的十倍， 而且濺射出來的粒子帶有高能量，在基材表面會繼續表面擴散而得到硬且緻密的 薄膜，同時此高能量使基板只要較低的温度即可得到结晶膜。(9)靶材的使用壽命 較長。 濺鍍機的配置大致可以分為以下五個主要系統，如圖 3-1 ： (一)真空系統：此系統包含不銹鋼材質的腔體以及兩個真空用的幫浦分別為回轉 -2 式機械幫浦(rotary mechanical pump)可以將真空度抽至 10 torr 左右而接下來利 -6 -7 用擴散幫浦(diffusion pump)將真空度下降到 10 ~10 torr 。除此之外還有兩個電 容計來量測真空度，分別為量測低真空度的電容式真空計以及量測高真空度的 Bayard-Alpert 離子計(ion gauge) 。 (二) 冷卻系統：主要是用冰水機來冷卻擴散幫浦、永久磁鐵、靶材、真空腔外 22 壁，以防止因過熱而損壞系統。 (三) 磁控系統：靶材直接固定於磁控盤上，盤內加裝永久磁鐵，操作時導入射 頻功率和冷卻水，冷卻水目的是為了避免磁鐵過熱而造成消磁的後果。 (四) 氣體流量系統：氣體流量以質流控制器(mass flow controller：MFC )單位為 sccm，控制測量流入真空腔之氬氣和氧氣之流量。 (五) 電漿產生系統：配有射頻供應器，操作頻率在 13.56MHz ，並利用阻抗匹配 網路來自動調整阻抗來穩定輸出功率，並將通入的氣體解離產生電漿。 3.2 實驗流程 Substrate preparation Deposition parameters R.F. power Oxygen fraction Measurement of the films α-step Four point probe XRD UV-visible spectrum Hall measurement 3.3 濺鍍機的濺鍍功率與通氧量對薄膜的影響 在本實驗中所使用的濺鍍機系統為和力聯合公司的六靶濺鍍機，機台本身沒 23 有升溫裝置所以本實驗是在室溫下濺鍍 ITO 薄膜。其射頻電源供應操作在 13.56MHz ，系統的示意圖如圖3-2 所示。在靶材的使用上本實驗室是使用 ITO 氧化物靶，成分比例為 In O :SnO =9:1 ；純度為99.99% ；靶的尺寸為3 英吋。我 2 3 3 們使用濺鍍機來濺鍍