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不同应变对Ge的光学性质影响的第一性原理研究-发光学报
第３８卷 第６期 发 光 学 报 Ｖｏｌ３８ Ｎｏ６
２０１７年６月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｊｕｎｅꎬ２０１７
文章编号:１０００￣７０３２(２０１７)０６￣０７０２￣０７
不同应变对 Ｇｅ的光学性质影响的第一性原理研究
１ ２ １∗ １ １ １
李 佳 ꎬ黄文奇 ꎬ张 鹏 ꎬ 吕媛媛 ꎬ韩旭辉 ꎬ卢贵武
(１. 中国石油大学(北京) 理学院ꎬ北京 １０２２４９ꎻ ２. 北京信息科技大学 理学院ꎬ北京 １０００８１)
摘要:研究了不同方向、不同强度的应变对Ｇｅ光学性质的影响ꎮ 结果表明ꎬＧｅ在单轴张应变和双轴张应变
的调控下ꎬ均可由间接带隙转向直接带隙ꎬ其中ꎬ单轴应变有更低的转变点ꎮ Ｇｅ在常用波段处(０.４ ｅＶ)的介
电函数实部和虚部在张应变作用下ꎬ均急速上升而后在一定应变范围内下降ꎮ 对 Ｇｅ进行[１１１]单轴应变调
控能表现出更好的光学性能以及更便捷的器件设计(较低的应变量)ꎮ
关 键 词:锗ꎻ第一性原理ꎻ应变ꎻ光学性质
＋
中图分类号:Ｏ４７２ .３ 文献标识码:Ａ ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ０７０２
Ｃｏｍｐａｒａｔｉｖｅ Ｓｔｕｄｉｅｓ ｏｎ Ｔｈｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ
Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ Ｓｔｒａｉｎｅｄ Ｇｅ:Ａ Ｆｉｒｓｔ￣ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ Ｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎ
１ ２ １∗ １ １ １
ＬＩ Ｊｉａ ꎬＨＵＡＮＧ Ｗｅｎ￣ｑｉ ꎬＺＨＡＮＧ Ｐｅｎｇ ꎬＬＹＵ Ｙｕａｎ￣ｙｕａｎ ꎬＨＡＮ Ｘｕ￣ｈｕｉ ꎬＬＵ Ｇｕｉ￣ｗｕ
(１. Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆ ＳｃｉｅｎｃｅꎬＣｈｉｎａ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ ＰｅｔｒｏｌｅｕｍꎬＢｅｉｊｉｎｇ １０２２４９ꎬＣｈｉｎａꎻ
２. Ｃｏｌｌｅｇｅ ｏｆ ＳｃｉｅｎｃｅꎬＢｅｉｊｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎꎬＢｅｉｊｉｎｇ １０００８１ꎬＣｈｉｎａ)
∗Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｚｈａｎｇｐｅｎｇ１９９８＠１２６.ｃｏｍ
Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｔｏ ｅｘｐｌｏｒｅ ｔｈｅｃｈａｎｇｅｓｏｆ ｔｈｅｏｐｔｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｆｏｒ Ｇｅｉｎ ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎｓａｎｄｄｉｆｆｅｒ￣
ｅｎｔ ｓｔｒａｉｎｓꎬｗｅｐｅｒｆｏｒｍｅｄｔｈｅｆｉｒｓｔｐｒｉｎｃｉｐｌｅｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｓｂａｓｅｄｏｎｄｅｎｓｉｔｙｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｔｈｅｏｒｙ ｃｏｍｂｉｎｅｄ
ｗｉｔｈ ＧＧＡ＋Ｕａｐｐｒｏａｃｈ. Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗ ｔｈａｔ Ｇｅｕｎｄｅｒｇｏｅｓａｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｆｒｏｍｉｎｄｉｒｅｃｔ￣ｔｏ ｄｉｒｅｃｔ￣ｇａｐ
ｏｎ ｕｎｉａｘｉａｌｌｙ ｔｅｎｓｉｌｅ ｓｔｒａｉｎｓ (ａｌｏｎｇ [１００]ꎬ [１１０] ａｎｄ [１１１] ｄｉｒｅｃｔｉｏｎｓ) ａｎｄ ｂｉａｘｉａｌｌｙ ｔｅｎｓｉｌｅ
ｓｔｒａｉｎｓ (ｐａｒａｌｌｅｌ ｔｏ (１００)ꎬ (１１０) ｐｌａｎｅｓ).Ｔｈｅ ｂａｎｄ ｇａｐｓ ｏｆ Ｇｅ ｗｉｔｈ ｕｎｉａｘｉａｌｌｙ ｓｔｒａｉｎｓ (ａｌｏｎｇ
[１１０] ａｎｄ [１１１] ｄｉｒｅｃｔｉ
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