模电重点知识总结(1-3章).pptVIP

模拟电子电路 讲师：陈玫玫 PN结的形成 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。 单向导电性 外加正向电压时，空间电荷区（耗尽层）变窄，流过一个较大的正向电流。 外加反向电压时，空间电荷区（耗尽层）变宽，流过一个很小的反向饱和电流。 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性方程为: 例题解析 例1.设二极管是理想的，试判断图中各二极管是否导通，并求VAO值。 第三章 晶体三极管 求解三极管小信号等效模型的必要参数 4 2 1 3 第 3 章　场效应管 场效应管分类 场效应管工作原理 场效应管模型 场效应管电路分析方法 场效应管分类 N 沟道管与 P 沟道管工作原理相似，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此导致加在各极上的电压极性相反。 N 沟道NMOS P 沟道PMOS FET 增强型EMOS :VGSVGS(TH)时,沟道形成 耗尽型DMOS :VGS=0时,沟道已经存在 P沟道 N沟道 MOSFET JFET 按工作方式 按沟道类型 属于耗尽型 场效应管仅依靠一种载流子(多子)导电，故称单极型器件。 三极管中多子、少子同时参与导电，故称双极型器件。 * * 4 2 1 3 第一章　二级管 PN结的形成 二极管的单向导电性 二极管的伏安特性 二极管的等效电路 因电场作用所产生的运动称为漂移运动。 参与扩散运动和漂移运动的载流子数目相同，达到动态平衡，就形成了PN结。 三极管中的ICBO 二极管是由P型半导体与N型半导体结合而成，其交界面会形成PN结，正是PN结使二极管拥有其主要特性—单向导电性。 式中：Is是反向饱和电流; q是电子电量； K是波尔兹曼常数；T是绝对温度 。 令 kT/q=VT，则 VT称为温度的电压当量。 常温下，即T=300K时，VT≈26mV。 二极管的反向击穿：当加到PN结上的反向电压增大到某个数值时，反向电流急剧增加。 反向击穿电压：发生击穿所需的反向电压VBR 0 V(V) i(mA) VBR 二极管特性曲线 正向电流随正向电压的增大按指数规律迅速增大。 加反向电压时，只流过很小的反向饱和电流。 雪崩击穿 齐纳击穿 二极管的击穿 特点：随着反向电流急剧增加，二极管的反向电压值增加很少。 稳压二极管 VON 正向开启电压：正向导通所需的开启电压VON 二极管的等效电路 大信号模型 理想模型 小信号模型 恒压模型 折线模型 二极管等效为开关，接正向电压开关闭合，反向电压开关断开。 二极管等效为一个理想二极管（理想开关） 串联一个恒压源VON，截止时反向电流为0。 。 二极管等效为一个理想二极管串联一个恒压源VON和一个电阻RD ，截止时反向电流为0。 。 当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。 + - D1 D2 VAO A O 3kΩ + - V1 6V - + V2 9V 将二极管D1，D2开路，分析两端电压 D1两端电压：VD1=9V0 D2两端电压：VD2=V2-(-V1) VD2=15V0 因为VD2VD1,所以D2先导通，D2导通后，D1两端电压等于-V1= - 6V，D1截止。 VAO也等于 - V1= - 6V + - D1 VAO A O 3kΩ + - V1 6V - + V2 9V 例2.在0≤t≤10ms内，画出图中所示电路输出电压vO（t）的波形。①二极管是理想的②使用恒压模型 + - + - D 200Ω vI（t） 5V vO （t） 50Ω 30 vI（t） 10 t（ms） 0 ①将D两端断开,求vD vD0V,0.2VI-50时,VI25V,D截止,vO等于R2端电压=0.2VI R1 R2 vD≥0V时,D导通,vO等于直流源电压=5V 25 25/3(ms) vO（t） 5 10 t（ms） 0 25/3(ms) ②同样将D两端断开,求vD vD0.7V,0.2VI-50.7时,VI28.5V, D截止,vO等于R2端电压=0.2VI vD≥0.7V时,D导通,vO等于直流源 电压加D导通电压=5.7V 30 vI（t） 10 t（ms） 0 vO（t） 5.7 10 t（ms） 0 28.5 28.5/3(ms) 28.5/3(ms) + - + - D 200Ω vI （t） 5V vO （t） 50Ω 三极管的电流方程 1 三极管的等效模型 2 三极管的伏安特性 4 三极管的工作模式 3 三极管电路的分析方法 5 三极管工作在放大模式的外部条件： 发射结正偏，集电结反偏 电流分配：IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成 IB－复合运动形成 IC－漂移运动形成