射频反应溅射制备的zno薄膜的结构和发光特性.pdfVIP

中国科学 G 辑:物理学 力学 天文学 2007 年 第 37 卷 第 2 期: 218~222 SCIENCE IN CHINA PRESS 射频反应溅射制备的ZnO 薄膜的 结构和发光特性 ①②* ① ① ② ① 朋兴平 王志光 宋 银 季 涛 臧 航 杨映虎② 金运范① (① 中国科学院近代物理研究所, 兰州 730000; ② 兰州大学物理科学与技术学院, 兰州 730000) 摘要 用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c 轴择优取向的ZnO 薄膜, 用X 射线衍射仪、荧光分光光度计和X 射线光电子能谱仪对样品进行了表征, 分析研 究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的影响. 结果表明, 溅射功率 100 W, 衬底温度300 ∼ 400 ℃时, 适合c 轴择优取向和应力小的ZnO 薄膜的生长. 在样品的室温光致发光谱中观察到了380 nm 的紫外激子峰和峰位在430 nm 附近 的蓝光带, 并对蓝光带的起源进行了初步探讨. 关键词 ZnO 薄膜 X 射线衍射谱 光致发光谱 衬底温度 射频反应溅射 ZnO具有优异的光学和电学特性, 它被广泛应用于表面声波器件、气体传感器、太阳能电 池电极和光发射器件中 [1]. ZnO具有六角纤锌矿结构是一种直接带隙半导体材料, 室温下其带 隙宽度Eg = 3.37 eV, 激子束缚能Ebex = 60 meV, 与其他宽禁带发光材料如ZnSe (Eg = 2.7 eV, E ex = 20 meV)和GaN (E = 3.4 eV, E ex = 21 meV)等相比, ZnO是一种适用于室温甚至更高温度 b g b 下的紫外光发射材料 [2,3], 其发光特性研究备受重视. ZnO薄膜的发光峰主要包括约 380 nm的激子发光峰 [2∼7]和约 510 nm的绿光峰 [2,6,7]. 随着 ZnO薄膜发光特性研究的不断深入, 不同波长的蓝光峰已有一些报道, 如Wang等人 [8]报道了 446 nm处的蓝发射峰, Jin等人 [9]报道了420 nm处的蓝光峰, 我们在Cu掺杂和In掺杂ZnO薄膜的 PL谱中也观察到了蓝光峰 [10,11], 表明ZnO薄膜具有蓝光发射特性. 进一步深入开展ZnO薄膜的 蓝光发射机理研究对ZnO基蓝光器件的研发和应用具有十分重要的意义. 本文利用射频反应溅射法在硅(100)衬底上制备了 c 轴择优取向的未掺杂 ZnO 薄膜, 利用 X 射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱及 X 射线光电子能谱(XPS)分析和研究了实验条件对 ZnO 薄膜结构和发光特性的影响, 并对发光机制进行了探讨. 收稿日期: 2006-01-18; 接受日期: 2006-07-10 国家杰出青年基金(批准号:、国家自然科学基金(批准号:和西部之光联合学者项目基金资助项目 * E-mail: pengxp@ 第 2 期 朋兴平等: 射频反应溅射制备的 ZnO 薄膜的结构和发光特性 219 1 实验 ZnO 薄膜样品是在 JS-450 型射频溅射台上获得的. 靶材是纯度 99.99%、直径 100 mm 的 高纯锌, 衬底为(100)面硅单晶, 衬底与靶间距 50 mm. 溅射前预真空为