脉冲激光沉积方法制备ZnO薄膜生长参量对发光-中国科技论文在线.PDFVIP

第 25 卷 　第 10 期 光 　学 　学 　报 Vol . 25 ,No . 10 　　 　 　　　　　　　　　 　　　　　　　 　　　　　 2005 年 10 月 A C TA O P TICA SIN ICA October , 2005 文章编号 :(2005) 10137 14 脉冲激光沉积方法制备 Zn O 薄膜生长参量 对发光特性的影响 1 1 1 2 1 王兆阳 　胡礼中 　赵 　杰 　孙 　捷 　王志俊 1 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 , 大连 116024 2 中国科学院半导体研究所 , 北京 100083 ( ) ( ) 摘要 : 　用脉冲激光沉积 PLD 方法在 Si 111 衬底上制备了 ZnO 薄膜 。以325 nm HeCd 激光器为光源对薄膜进 ( ) ( ) 行了荧光光谱分析 ,用 X 射线衍射仪 XRD 和原子力显微镜 A FM 分别对薄膜的结构和形貌进行了分析 。脉冲 激光沉积方法的主要生长参量为氧压 、激光重复频率 、生长温度和激光能量 。通过控制这些参量变量 ,研究了这些 参量对 ZnO 薄膜发光特性的影响 ,得到了用于紫外发光的 ZnO 薄膜生长的优化条件 :发现在温度为 650 ℃左右 、 氧压 50 Pa 左右 、频率 5 Hz 左右的范围内能得到半峰全宽较窄 ,强度较大的紫外发光峰 。分析认为紫外峰主要是 由激子辐射复合发光形成的 ,绿光带主要和 OZn 的存在密切相关 ,氧空位是蓝光发射的重要原因。 关键词 : 　光学材料 ; 紫外发光 ; 脉冲激光沉积 ; ZnO 薄膜 中图分类号 : TN 304 . 2 　　　文献标识码 : A Ef f ect of Gr owt h P a r a met er s of F ab r icat i n g ZnO Thi n Fil ms by P ulsed L aser Dep osit i on on L i ght Emis si on Ch a r act er ist ics 1 1 1 2 1 Wan g Zhaoyan g 　Hu L izh on g 　Zhao J ie 　Sun J ie 　Wan g Zhij un 1 St a t e Key L abor a t or y f or M a