邓森洋毕业设计论文审核通过最终版.docVIP

分类号：TN432 U D C：D10621-408-(2012)4196-0 密 级：公 开 编 号：2008102036 成都信息工程学院 学位论文 基于0.18um工艺CMOS带隙基准电压源设计 论文作者姓名： 邓森洋 申请学位专业： 微电子学 申请学位类别： 工学学士 指导教师姓名（职称）： 陈祝（教授） 论文提交日期： 2012年06月04日 基于0.18um工艺CMOS带隙基准电压源设计 摘 要 本文首先介绍了基准源的发展，引出带隙基准源，并介绍了它的基本工作原理、温度补偿原理；然后指出了限制其性能的主要因素，并针对这些限制因素给出了改进电路，分析了低电源电压、低功耗、高精度和高PSRR四种类型的CMOS带隙基准源。接着对BANBA结构进行仿真，并介绍了其版图布局要点。考虑到实际电路影响因素，对电路进行了修改，加入了自启动电路、PSRR增强电路和可修调电阻阵列。设计出了具有很好温度特性和较高电源抑制比的低压带隙基准电压源电路。 仿真结果，0℃～10℃温度范围内，基准电压温度系数为0.62ppm/℃，在低频时电源抑制比为-66.9dB，最低电源电压为1.1V。启动时间为500。功耗为453.9uW。通过高阶温度补偿技术，目前国内带隙基准温度系数最低可达0.3ppm/℃。一阶补偿的带隙基准的温度系数