微电子制造工艺技术第8章 掺杂.pptVIP

　　合金法制作PN结是利用合金过程中溶解度随温度变化的可逆性，通过再结晶的方法，使再结晶层具有相反的导电类型，从而在再结晶层与衬底交界面处形成所要求的PN结，如铝硅合金。根据合金理论，当合金温度低于共晶温度时，铝和硅不发生作用(铝硅合金的共晶温度为577℃)，都保持原来各自的固体状态不变。当温度升高到577℃时，交界面上的铝原子和硅原子相互扩散，在交界面处形成组成约为88.7%铝原子和11.3%硅原子的熔体。随着温度的升高和时间的增加，铝硅熔体迅速增多，最后整个铝层都变为熔体。如果再提高温度，硅在合金熔体中的溶解度增加，则熔体和固体硅的界面向硅片内延伸。 　　在达到规定温度并恒温一段时间后，缓慢降低系统温度，硅原子在熔体中的溶解度下降，多余的硅原子逐渐从熔体中析出，以未熔化的硅单晶衬底作为结晶的核心，形成硅原子的再结晶层。再结晶层中所带入的铝原子的数目由它们在硅中的固溶度所决定。如果带入的铝原子多到足以使其浓度大于其中的N型杂质浓度，则在再结晶层的前沿就形成PN结。当温度降到铝-硅共晶温度时，熔体即全部凝固成铝硅共晶体。此后，温度继续降低时，合金体系保持不变，合金系统的最终状态由P型硅再结晶层和铝硅共晶体组成(见图8-1)。显然，这样形成的PN结，其杂质浓度的变化是突变的，所以合金结是一种突变结。 　　合金法也常用来制作欧姆接触电极。例如，在硅功率整流器等元件中，常采用铝硅合金法制作欧姆接触；在硅平面功率晶体管的集电极欧姆接触中，常采用金锑合金片与硅晶片的合金烧结法来制作高电导欧姆接触，等等。　　硅器件电极引线金属的合金化，虽然也是一种合金过程，但合金温度必须低于共晶温度。例如，铝-硅系统的合金温度一般为500～570℃；对于浅结温度还要低一些，只有400～500℃(但恒温时间长一些)。这是为了避免铝膜收缩“球化”，或因活泼的铝与SiO2薄膜反应，造成铝引线与SiO2层下面的元件短路。 　　在低于共晶温度下进行合金，是通过铝—硅界面附近两种原子的互相扩散，即所谓“固相合金”来实现“合金化”的，从而达到良好的欧姆接触特性和铝-硅接触的机械强度，而且有利于热压或超声键合引线。但此时合金时间不可太短，否则因铝-硅界面附近的原子未能充分地互相扩散，将造成铝硅接触不良，影响器件的成品率和性能。　　如果衬底片是锗片或其他半导体晶片，其原理和结果也是一样的，只是采用的合金材料、成分和合金温度不一样。 8.2.1 扩散的条件　　热扩散方法是一种化学过程，是在1000℃左右的高温下发生的化学反应。晶圆暴露在一定掺杂元素气态下，气态下的掺杂原子通过扩散迁移到暴露的晶圆表面，形成一层薄膜。在芯片应用中，因为晶圆材料是固态的，热扩散又被称为固态扩散。　　扩散是微观粒子一种极为普遍的运动形式，从本质上讲，它是微观粒子作无规则热运动的统计结果，这种运动总是由粒子密度较多的区域向着浓度较低的区域进行，所以从另一意义上讲，扩散是使浓度或温度趋于均匀的一种热运动，它的本质是质量或能量的迁移。 　　日常生活中经常可以观察到扩散现象。比如，在一杯水中，滴入几滴墨水，一开始，墨水的浓度高于周边水的浓度，经过一段时间后，这一杯水的颜色变得均匀一致了，表明发生了扩散运动。如果加热杯中的水，可以观察到墨水更快地扩散开来。　　可见，扩散现象必须同时具备两个条件：　　(1) 扩散的粒子存在浓度梯度。一种材料的浓度必须要高于另外一种材料的浓度。　　(2) 一定的温度。系统内部必须有足够的能量使高浓度的材料进入或通过另一种材料。 8.2.2 典型的扩散形式　　半导体中的原子是按一定规则周期排列的。杂质原子(或离子)在半导体材料中典型的扩散形式有两种：间隙式扩散和替位式扩散。　　1. 间隙式扩散　　杂质原子从一个原子间隙运动到相邻的另一个原子间隙，依靠间隙运动方式而逐步跳跃前进的扩散机构，称为间隙式扩散。 　　晶体中的间隙原子，由一个间隙运动到相邻的另一间隙，必须挤过一个较窄的缝隙，从能量来看，就是必须越过一个势能较高的区域。根据玻耳兹曼统计结果可知，间隙原子的运动与温度密切相关，用以表征这一特性的重要参数是扩散系数D(单位为cm2/s)，D的物理意义在于它反映了在扩散方向上净的运动粒子总数和每个粒子的运动速率。影响扩散系数D的相关因素除了扩散粒子本身的性质以外，还包括扩散时受到的阻力大小、势垒高低、扩散方式和材料性质。D数值越大，表示扩散得越快，在相同时间内，在晶体中扩散得越深。 　　2. 替位式扩散　　替位式扩散是替位式杂质原子从一个替位位置运动到相邻另一个替位位置，只有当相邻格点处有一个空位时，替位杂质原子才有可能进入邻近格点而填充这个空位。因此，替位原子的运动必须以其近邻处有空位存在为前提。也就是说，首先取决于每一格点出现空位的几率。另一方面，替