92年期末考试题.DOCVIP

半導體製程安全期末考試卷 卷號：________________學號________________________ 姓名 ____________________ 請自右邊選擇能代表左邊意義的專有名詞或簡稱（答錯不倒扣）：每題 2 分，共 30 分 1. ( ) 低壓化學蒸氣沉積 (1). Polysilicon (16). Photolithograph 2. ( ) 電荷耦合元件 (2) Silane (17) Wafer 3. ( ) 光阻劑 (3) ULSI (18) CCD 4. ( ) 導線架 (4) Lead frame (19) HEPA 5. ( ) 氧化金屬半導體 (5) FET (20) Ingot 6. ( ) 複晶矽 (6) SMIF (21) ULPA 7. ( ) 切晶 (7) Bipolar Junction Transistor (22) APCVD 8. ( ) 乙烷 (8) TCE (23) CDC 9. ( ) 共晶黏著法 (9) MOS (24) IPA 10. ( ) 電晶體 (10) TCA (25) LSI 11. ( ) 遮罩 (11) Evaporation (26) Chip 12. ( ) 超低穿透濾材 (12) LPCVD (27) Photoresist 13. ( ) 異丙醇 (13) Sputtering (28) Diode Juncion 14. ( ) 超大型積體電路 (14) Bonding (29) Eutectic 15. ( ) 晶片 (15) Dicing (30) Mask 選擇題，一題 2 分共 70 分，答錯倒扣題分 1/4 1. ( ) 右圖所示的製程為 (A) 柴氏長晶法 (B) 浮融長晶法 (C) 抽拉長晶法 (D) 吸取長晶法 (E) 抽絲長晶法。 2. ( ) 右圖所示過程中，所使用的光阻劑為 (A) 負型光阻劑 (B) 正型光阻劑 (C) 易溶性光阻劑 (D) 不溶性光阻劑 (E) 凝固型光阻劑。 3. ( ) 在晶圓表面成長與晶圓共晶的結構稱為 (A) 塗佈 (B) 植離子 (C) 擴散 (D) 氧化 (E) 磊晶 。 4. ( ) 在濕式晶圓清洗設備中，用於清洗可溶性污染且最具設備調整彈性者為：(A) 多槽清洗設備 (B) 單槽清洗設備 (C) 單晶圓清洗設備 (D) 超音波清洗設備 (E) 高壓噴灑設備 。 5. ( ) 半導體製造步驟，何者為正確？(A) 晶圓→蝕刻→微影成像→封裝 (B) 晶圓→微影成像→封裝→蝕刻(C) 微影成像→蝕刻→封裝→晶圓(D) 晶圓→微影成像→蝕刻→封裝 (E) 封裝→晶圓→微影成像→蝕刻。 6. ( ) 一般所謂的 100 級無塵室是指無塵室空氣中 (A) 每立方英呎中大於 0.1 微米的微粒不到 100 顆 (B) 每立方英呎中大於 0.5 微米的微粒不到 100 顆 (C) 每立方公尺中大於 0.5 微米的微粒不到 100 顆 (D) 每 100 立方公尺中大於 0.5 微米的微粒不到 1 顆 (E) 每 100 立方英呎中大於 0.1 微米的微粒不到 1 顆。 7. ( ) 通常最易穿透濾材的微粒粒徑範圍為：(A) 1 至 5 ?m (B) 0.1 至 0.5 ?m (C) 5 至 10 ?m (D) 0.5 至 1 ?m (E) 0.01 至 0.05 ?m 。 8. ( ) 在微影成像製程中，去除某部分光阻劑以便對其他未被光阻劑覆蓋晶圓表面進行蝕刻的過程稱為：(A) 曝光 (B) 剝除 (C) 沖洗 (D) 溶解 (E) 顯影。 9. ( ) 誰最先成功量測電子電荷？ (A) Millikan (B) Thomson (C) Edison (D) Fleming (E) De Forest 。 10. ( ) 微環境是指：(A) 在無塵室中區劃出數個級數較低的區域 (B) 在無塵室中區劃出數個級數較高的區域 (C) 在無塵室中區劃出級數較低的槽道 (D) 在無塵室中區劃出級數較高的槽道 (E) 無塵室空間全部規劃為同一等級。 11. ( ) 若其他狀況不變，一片晶圓上有效晶片數會隨著以下何種因素增加？(A) 增大晶片尺寸 (B) 增加拉晶速度(C) 增加晶棒長度 (D) 提高無塵室等級