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MOS器件和电路总剂量辐射效应测试技术解析 　　摘 要 辐射是指线同物质之间的相互作用，文章对各种模拟源辐射环境的测量方法进行了分析，介绍了测试MOS器件及电路的总剂量辐射效应的技术，围绕实验进行讨论。 关键词 模拟辐射源；阀值电压；总剂量；MOS器件；辐射效应 中图分类号：TN406 文献标识码：A 文章编号：1671-7597（2013）12-0050-01 在战略武器抗核爆辐射环境以及卫星抗空间辐射环境的需求下，提出了总剂量辐射效应概念，研究、分析总剂量效应可提高器件以及电路的使用寿命。在电子系统以及半导体器件中，核爆所产生的x射线和γ射线会产生总剂量辐射效应。而卫星工作的空间环境下，也存在着质子、电子等低剂量率的总剂量辐射，这些不断积累的总剂量从很大程度上缩短了卫生的使用寿命，导致卫星无法正常工作，器件失效，使器件的性能参数等发生蜕变等。电子系统中，采用了大量的MOS期间以及电路，为了能够有效避免总剂量辐射效应所带来的影响，有必要研究MOS场效应晶体管电力辐射产生的一些辐射效应。在MOS器件的氧化层内，沉积大量的电力辐射能量，出现电子空穴，在外加电场作用下原子间的断裂，一部分载流子产生了复合作用。电子以极快的速度向正电极移动，一部分电子被空穴俘获，最终能够形成氧化层陷阱电荷。在对于MOS管的电性能影响上，界面态电荷与氧化层电荷所不同，界面态电荷决定于受主型