具有纵向漏极场板的低导通电阻绝缘体上硅横向双扩散金属-物理学报.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 10 (2014) 107302 具有纵向漏极场板的低导通电阻绝缘体上硅横向 双扩散金属氧化物半导体器件新结构 石艳梅 刘继芝 姚素英 丁燕红 1)(天津大学电子信息工程学院, 天津 300072) 2)(天津理工大学电子信息工程学院, 天津 300384) 3)( 电子科技大学微电子与固体电子学院, 成都 610054) ( 2013 年12 月22 日收到; 2014 年1 月22 日收到修改稿) 为降低绝缘体上硅(SOI) 横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS) 器件的导通电阻, 同时提高器件击穿 电压, 提出了一种具有纵向漏极场板的低导通电阻槽栅槽漏SOI-LDMOS 器件新结构. 该结构特征为采用了 槽栅槽漏结构, 在纵向上扩展了电流传导区域, 在横向上缩短了电流传导路径, 降低了器件导通电阻; 漏端采 用了纵向漏极场板, 该场板对漏端下方的电场进行了调制, 从而减弱了漏极末端的高电场, 提高了器件的击穿 电压. 利用二维数值仿真软件MEDICI 对新结构与具有相同器件尺寸的传统SOI 结构、槽栅SOI 结构、槽栅 槽漏SOI 结构进行了比较. 结果表明: 在保证各自最高优值的条件下, 与这三种结构相比, 新结构的比导通电 阻分别降低了53%, 23% 和提高了87%, 击穿电压则分别提高了4%、降低了9%、提高了45%. 比较四种结构 的优值, 具有纵向漏极场板的槽栅槽漏SOI 结构优值最高, 这表明在四种结构中新结构保持了较低导通电阻, 同时又具有较高的击穿电压. 关键词: 槽栅, 槽漏, 低导通电阻, 击穿电压 PACS: 73.40.Ty, 73.40.Kp, 73.61.Ey DOI: 10.7498/aps.63.107302 导通电阻显著降低, 但该结构的B 也很低. 在此 1 引 言 基础上, 改进的TG 结构被提出, 即把TG 移到源区 外侧形成纵向沟道及电子积累层, 在纵向上扩宽了 绝缘体上硅(SOI) 功率器件因具有理想的介质 电流传导区域, 从而降低了导通电阻, 同时又保持 隔离、快的转换速度、低功耗等优点而被广泛应用 了较高的B 10−14 . 槽漏(TD) 是另一种通过增大 12 于智能集成电路中 . 提高器件的击穿电压B 纵向电流传导区域降低导通电阻的结构1516 . TG 一直是器件设计者研究的热点方向之一, 各种新 结构不断被提出3−7 . 但是, 由于器件漂移区的 和TD 两种结构的结合在扩大纵向电流传导区域的 8 同时缩短了横向传导距离, 从而进一步降低了导通 比导通电阻onsp 与B 成正比 , 使得onsp 随 电阻1718 . 但是TGTD-SOI 结构在漏极末端容易 着B 的增加而增大, 从而导致这些结构的导通电 阻都非常高. 而低导通电阻在功率器件设计中至 聚集高电场, 使得器件在此处提前击穿, 从而降低 关重要, 因此, 在提高器件B 的同时, 降低导通 了器件的B . 电阻是器件设计者面临的一个挑战. Kawaguchi 本文提