可满足200mm圆片的生产CentrothermVerticoo200批量生产立式炉.PDF

可满足200mm Centrotherm Verticoo 200批量生产立式炉由单根炉管，双 舟上料机构以及高效全自动圆片传递机械手组成。 圆片的生产 工艺腔体和加热系统的设计拥有高度的灵活性，可用于所 有标准常压和LPCVD工艺生产，每批次最大可满足150片。 Centrotherm的产品设计拥有高容量，高性能，无缺陷， 低维护成本和高适用性等优点。 Centrotherm Verticoo 200 的安全和可靠性可用于各类 半导体器件制造环节。 工艺            常压  干氧  湿氧（centrotherm 氢氧合成）  退火(N2,H2)  扩散  氧化层均匀性   干氧氧化  |100nm |1050℃                                                 <0.6% uniformity  ((max‐min)/2*mean)  工艺参数  特性和优势       详细设计  自动校准  双装舟  水冷加热炉体  占地小  分解式安装  内部可存放20 个片盒  工艺          LPCVD    多晶硅（掺杂，无掺杂）  氮化硅  氮氧化硅   TEOS 氧化  高温氧化  多晶硅参数     多晶硅平面    圆片尺寸：  200mm  单批数量：  100process wafers  工艺温度：  560‐620°C  工艺压力：  150‐250mTorr  气体：  SiH 4  气体接口：  Lances  生长速率：  ~6‐10nm/min  均匀性：  <1.5%((max‐min)/2*mean)