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可满足200mm圆片的生产CentrothermVerticoo200批量生产立式炉.PDF 4页

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可满足200mm Centrotherm Verticoo 200批量生产立式炉由单根炉管,双 舟上料机构以及高效全自动圆片传递机械手组成。 圆片的生产 工艺腔体和加热系统的设计拥有高度的灵活性,可用于所 有标准常压和LPCVD工艺生产,每批次最大可满足150片。 Centrotherm的产品设计拥有高容量,高性能,无缺陷, 低维护成本和高适用性等优点。 Centrotherm Verticoo 200 的安全和可靠性可用于各类 半导体器件制造环节。 工艺            常压  干氧  湿氧(centrotherm 氢氧合成)  退火(N2,H2)  扩散  氧化层均匀性   干氧氧化  |100nm |1050℃                                                 <0.6% uniformity  ((max‐min)/2*mean)  工艺参数  特性和优势       详细设计  自动校准  双装舟  水冷加热炉体  占地小  分解式安装  内部可存放20 个片盒  工艺          LPCVD    多晶硅(掺杂,无掺杂)  氮化硅  氮氧化硅   TEOS 氧化  高温氧化  多晶硅参数     多晶硅平面    圆片尺寸:  200mm  单批数量:  100process wafers  工艺温度:  560‐620°C  工艺压力:  150‐250mTorr  气体:  SiH 4  气体接口:  Lances  生长速率:  ~6‐10nm/min  均匀性:  <1.5%((max‐min)/2*mean) 

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