关关雎鸠 南邮 模电 第3章 场效应管及其基本.ppt

第3章 场效应晶体管及其放大电路 3.1 场效应晶体管 3.2 场效应管工作状态分析及其偏置电路 3.3 场效应管放大电路 3.1 场效应晶体管 3.1.1 结型场效应管 结型场效应管是利用半导体内的电场效应进行工作的，也称为体内场效应器件。 结型场效应管(Junction Field Effect Transistor)简称JFET，有N沟道JFET和P沟道JFET之分。图3.1.1给出了JFET的结构示意图及其表示符号。 如图3.1.2所示。D-S间加正向电压UDS，G-S间加反向电压UGS。 在UDS作用下，电子从S→D，形成ID；而UGS0→PN结反偏→IG≈0，所以IS≈ID。 图3.1.2栅源电压UGS对沟道及ID的控制作用示意图 (a) UGS =0，沟道最宽，ID最大；(b) UGS负压增大，沟道变窄， ID减小；(c) UGS负压进一步增大，沟道夹断， ID =0 三、特性曲线 （一）转移特性曲线 定义：在UDS一定时，uGS对iD的控制作用，即 在N沟道JFET中，PN结必须反偏，即uGS0。 （二）输出特性曲线 定义：在UGS一定时，iD与uDS的关系，即 3.1.2 绝缘栅场效应管(IGFET) 一、 N沟增强型MOSFET（E-NMOSFET） (Enhancement NMOSFET) 1、N沟增强型MOSFET的结构 如图3.1.5所示，其中图(a)为立体结构示意图，图(b)为平面结构示意图。 2、导电沟道的形成及工作原理 如图3.1.6所示，若将S与B相连并接地，在G-S之间加正压UGS，在D-S之间施加正压UDS，分析uGS变化时管子的工作情况。 3、转移特性 N沟道增强型MOSFET的转移特性如图3.1.7所示。其主要特点为： (1)当uGSUGSth时，iD=0。 (2)当uGS UGSth时， iD 0，uGS↑→iD↑,二者符合平方律关系，即： 式中：UGSth——开启电压(或阈值电压)； μn——沟道电子运动的迁移率； Cox——单位面积栅极电容； W——沟道宽度； L——沟道长度(见图3.1.5(a))； W/L——MOS管的宽长比。 在MOS集成电路设计中，宽长比是一个极为重要的参数。 4、输出特性 N沟道增强型MOSFET的输出特性如图3.1.9所示。也分为恒流区、可变电阻区、截止区和击穿区。 其特点为： (1)截止区：UGS≤UGSth，导电沟道未形成，iD=0。 沟道调制系数λ：厄尔利电压UA（如图3.1.9(b)所示）的倒数，即 二、 N沟耗尽型MOSFET(DepletionNMOSFET) ? 耗尽型在 uGS =0时就存在导电沟道（称原始导电沟道）。只要uDS0就有iD电流，且uGS↑→iD↑；当uGS0时，iD↓；当uGS=UGSoff时，iD=0，管子进入截止状态。 耗尽型NMOSFET的电流方程为 3.1.3 场效应管的参数 一、直流参数 1. 结型场效应管和耗尽型MOSFET的主要参数 (1)饱和漏极电流IDSS(ID0)：IDSS指对应uGS=0时的ID。 (2)夹断电压UGSoff：使得iD=0时的uGS值。 3.输入电阻RGS 对结型场效应管，RGS在108~1012Ω之间。 对MOS管，RGS在1010~1015Ω之间。通常认为RGS →∞。 三、交流参数 1跨导gm 定义： 3.2 场效应管工作状态分析及其偏置电路 3.2.1 场效应管工作状态分析 预夹断：靠近漏极处刚刚出现夹断。出现预夹断前为可变电阻区，出现预夹断后为恒流区。 预夹断条件：N沟道 UGDUGSoff（或UGSth） P沟道 UGDUGSoff（或UGSth） 完全夹断：靠近源极处也出现夹断。预夹断与完全夹断之间为恒流区，完全夹断后为截止区。 完全夹断条件：JFET和耗尽型IGFET