掺钠工艺对聚酰亚胺衬底CuInGaSe2薄膜特性的影响.PDF

掺钠工艺对聚酰亚胺衬底Cu(In,Ga)Se2 薄膜特性的影响 何静婧 ，刘玮 ，姜伟龙 ，逄金波 ，孙云* （南开大学信息技术科学学院光电子研究所，天津300071 ） 摘 要 在柔性聚酰亚胺（Polyimide ，PI ）衬底上生长Cu(In,Ga)Se2 （CIGS ）薄膜，Na 的掺入会对薄膜的特 性有重要的改善作用。本文研究了掺Na 工艺对CIGS 薄膜特性的影响。根据XRD 数据及电学参数分 析发现，采用前掺Na 工艺会影响CIGS 薄膜中In 、Ga 原子的扩散，呈现出双峰分离，即高Ga 相与 与低Ga 相分离；而采用后掺Na 工艺，则没有此种现象。 关键词 CIGS 电池；聚酰亚胺柔性衬底；低温沉积；Na 掺杂 Influence of Na incorporation methods on Cu(In,Ga)Se thin film on 2 polyimide substrate Jingjing He, Wei Liu, Weilong Jiang, Jinbo Pang, Yun Sun* (Institute of Photo-electronics, College of Information Technical Science, Nankai University, Tianjin 300071, China) Abstract Na incorporation into Cu(In,Ga)Se (CIGS) thin films deposited on flexible polyimide (PI) substrate leads to a great 2 improvement in the properties of CIGS. In this work, we discuss the influence of different Na incorporation methods on CIGS. The XRD patterns and Hall measurements show that the interdiffusion of In-Ga is restrained and the Ga content is higher in the surface layer of the CIGS film, which exhibits double-peak reflection pattern. This is caused by the deposition of a NaF precursor method, whereas the improving effect is found in the films prepared by the post deposition of NaF method. Key words CIGS solar cells; polyimide; low-temperature deposition; Na incorporation 1 前言 柔性衬底 Cu(In,Ga)Se2 （CIGS ）太阳电 改善CIGS 薄膜特性[1]，而PI 衬底不含Na ， 池因其重量轻、高比功率、适合于大规模生 因此需要人为向薄膜中掺入Na 元素。目前的 产的卷-卷（roll-to-roll ）工艺的优势成为CIGS 掺 Na 方法有很多，不同的掺 Na 工艺会对 太阳电池发展的重要方向，聚酰亚胺 CIGS 薄膜特性产生不同的影响[2][3] 。本文比 （p