模拟电子技术Multisim仿真试验66负反馈放大电路仿真试验
第6章 模拟电子技术Multisim仿真实验 6.1 二极管特性仿真实验 1.实验要求与目的 (1) 测量二极管的伏安特性,掌握二极管各工作区的特点。 (2) 掌握二极管正向电阻、反向电阻的特性。 (3) 用温度扫描的方法测试二极管电压及电流随温度变化的情况,了解温度对二极管的影响。 2.实验原理 半导体二极管主要是由一个PN结构成的,为非线性元件,具有单向导电性。一般二极管的伏安特性可划分成4个区:死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区。 3.实验电路 (1) 测试二极管正向伏安特性电路,如图6-1所示。 图6-1 测试二极管正向伏安特性电路 (2) 测试二极管反向伏安特性电路,如图6-2所示。 图6-2 测试二极管反向伏安特性电路 4.实验步骤 (1) 测量二极管的正向伏安特性。 按图6-1连接电路,按a键或Shift+a键改变电位器的大小,先将电位器的百分数调为0%,再逐渐增加百分数,从而可改变加在二极管两端正向电压的大小。启动仿真开关,将测量的结果依次填入表6-1中。 表6-1 正向伏安特性测试结果 结论:从表6-1中RD的值可以看出,二极管的电阻值不是一个固定值。当在二极管两端加正向电压时,若正向电压比较小,则二极管呈现很大的正向电阻,正向电流非常小,称为“死区”。当二极管两端
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