液相外延原位Au掺杂碲镉汞薄膜材料的研究-激光与红外.PDFVIP

第４７卷　 第７期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４７，Ｎｏ．７ 　 ２０１７年７月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｊｕｌｙ，２０１７ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１７）０７０８３８０４ ·红外材料与器件 · 液相外延原位Ａｕ掺杂碲镉汞薄膜材料的研究 胡尚正，郭明珠，刘　铭，吴　卿，折伟林，杨海燕，孙　浩，周立庆 （华北光电技术研究所，北京 １０００１５） 摘　要：通过液相外延方法，在碲锌镉衬底上制备了原位Ａｕ掺杂碲镉汞薄膜材料，采用金相 显微镜、Ｘ光双晶衍射仪、二次离子质谱仪、Ｈａｌｌ测试、少子寿命测试等手段对Ａｕ掺杂的碲镉 汞薄膜材料进行了表征，外延片的表面形貌、晶格质量等和常规的碲镉汞外延材料基本相当， 少子寿命较常规材料提高至少一个量级，芯片ＲＡ提高至少５倍，并成功制备出了截止波长 ０ 为１０ ｍ的２５６×２５６探测器芯片，响应率非均匀性为２８５％，有效像元率为９９２％。 μ 关键词：碲镉汞；液相外延；Ａｕ掺杂 中图分类号：ＴＮ２１３　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１７．０７．０１０ ＲｅａｓｅａｒｃｈｏｎＡｕｄｏｐｅｄＨｇＣｄＴｅｅｐｉｌａｙｅｒｇｒｏｗｔｈｂｙＬＰＥ ＨＵＳｈａｎｇｚｈｅｎｇ，ＧＵＯＭｉｎｇｚｈｕ，ＬＩＵＭｉｎｇ，ＷＵＱｉｎｇ， ＳＨＥＷｅｉｌｉｎ，ＹＡＮＧＨａｉｙａｎ，ＳＵＮＨａｏ，ＺＨＯＵＬｉｑｉｎｇ （ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｅＡｕｄｏｐｅｄＨｇＣｄＴｅｅｐｉｌａｙｅｒｏｎＣｄＺｎＴｅｓｕｂｓｔｒａｔｅｓｗａｓｇｒｏｗｎｂｙＬＰＥＴｈｅＡｕｄｏｐｅｄＨｇＣｄＴｅｅｐｉｌａｙｅｒ ｗａｓｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄｗｉｔｈｓｏｍｅｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｍｅｔｈｏｄｓ，ｓｕｃｈａｓｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，Ｘｒａｙｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ，ＳＩＭＳ，Ｈａｌｌ ａｎｄｍｉｎｏｒｉｔｙｃａｒｒｉｅｒｌｉｆｅｔｉｍｅ，ａｎｄｓｏｏｎＴｈｅｍｅａｓｕｒｉｎｇｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔＨｇＣｄＴｅｅｐｉｌａｙｅｒｈａｓｇｏｏｄｓｕｒｆａｃｅｔｏｐｏｇｒａｐｈｙ ａｎｄｌａｔｔｉｃｅｑｕａｌｉｔｙ，ａｎｄｍｉｎｏｒｉｔｙｃａｒｒｉｅｒｌｉｆｅｔｉｍｅｉｓａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ１０ｔｉｍｅｓａｓｔｈａｔｏｆｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌＨｇＣｄＴｅｆｉｌｍｓ，ａｎｄ ＲＡｉｎｃｒｅａｓｅｓｂｙ５ｔｉｍｅｓＢａｓｅｄｏｎｔｈｉｓｍａｔｅｒｉａｌ，２５６×２５６ＬＷＩＲＦＰＡｓｗｉｔｈ ｏｆ１０ ｍａｔ７７Ｋｈａｖｅｂｅｅｎｇｒｏｗｎ， λ μ ０ ｃ ａｎｄｉｔｓｎｏｎｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙｏｆｒｅｓｐｏｎｓｅｉｓ２８５％，ａｎｄｅｆｆｅｃｔｉｖｅｐｉｘｅｌｉｓ９９２％ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＨｇＣｄＴｅ；ＬＰＥ；Ａｕｄｏｐｉｎｇ １　引　言 展的技术瓶颈。 传统的ｎｏｎｐ型ＨｇＣｄＴｅ红外焦平面探测器的 ＨｇＣｄＴｅ薄膜的ｐ型掺杂是现代 ＨｇＣｄＴｅ外延 光吸收层采用 ｐ型 Ｈｇ空位掺杂的ＨｇＣｄＴｅ材料。 工艺中的关键技术，为改进红外探测器件的灵敏度， Ｈｇ空位除了提供ｐ型导电的