用于高灵敏度红外探测器的超薄硅膜的研制.PDFVIP

维普资讯 第34卷第 1期 红外与激光工程 2005年2月 V01．34NO．1 InrfaredandLaserEngineering Feb．2005 用于高灵敏度红外探测器的超薄硅膜的研制 董典红，徐 晨，邹德恕，李 兰，杨道虹，张剑铭，阳启明，沈光地 (北京工业大学 电子与信息控制工程学院 北京市光电子技术实验室，北京 100022) 摘要：超薄、平整的硅膜对于制作高灵敏度红外探测器是非常重要的。这种超薄硅膜的各向异 性腐蚀技术，包括有机溶液EPW 和无机溶液KOH及KOH+IPA(异丙醇)。从腐蚀速率、腐蚀表面质 量、腐蚀停特性、腐蚀边缘形貌及腐蚀工艺的角度分析比较了两种腐蚀系统，分别制作出了约 1 m 厚的平整超薄硅膜，并研究了不同掩膜材料在腐蚀液中的抗蚀性，为高灵敏度红外探测器的制作奠 定 了工艺基础。 - 关键词：超薄硅膜； 各向异性腐蚀； 高灵敏度红外探测器 中图分类号：TN215 文献标识码 ：A 文章编号：1007—2276(2005)01—0023—04 FabricationandresearchofverythinSimembrane forthehighsensitivityinfrareddetector DONG Dian-hong，XU Chen，ZOU De-shu，LILan，YANG Dao-hong， ZhANGJian-ming，YANGQi-ming，SHENGuang-di (BeijingOptoelectroicTechnologyLaboratorySchoolofElectronicInformationandConrtolEngineering，Beijing UniversityofTcehnology，Beijing100022，China) Abstract：Verythinandflatsificonmembrnaeisthemostimpo~natpartforfabricatinghighsensi- tivityinfrareddetectors．Theinvestigationofanisotropicetchingofsiliconwithorganic(EPW)nadinor- ganic(KOH，KOH+IPA)solutionsispresentedtofabricatehtisvery htinSimembrnae．Thesetwoetch． ingtechnologiesraecompraedinpointofhteetchingrate，htequaliyt ofetchedsurface，etch．stopchra． acter，htemorphologyofetching edgesnad etching procedures．Very thin silicon membrnaesof less llxm thickraefabricated wiht htesetechnologiesrespectively．Th emask materialsresistantin etching solutionsraepresented．Th eseworksprovidehteusefultechn ologyfoundationofrhtefabricationofthe high sensitivity infrareddetector． Keywords