超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总-物理学报.PDFVIP

第卷第期 年月 ５９ ３ ２０１０ ３ 物　 理　 学　 报 Ｖｏｌ．５９，Ｎｏ．３，Ｍａｒｃｈ，２０１０ １０００３２９０／ ２０１０／ ５９ ０３ ／１　９７００７ （） ＡＣＴＡ ＰＨＹＳＩＣＡ ＳＩＮＩＣＡ ２０１０ Ｃｈｉｎ．Ｐｈｙｓ．Ｓｏｃ． 超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属氧化物半导体  器件总剂量辐照特性的改善 １）２） １） １） １） １） 王思浩 　 鲁　 庆　 王文华　 安　 霞　 黄　 如 １）（北京大学微电子学深圳研究院，集成微系统重点实验室，北京　 １００８７１） ２）（长春理工大学，微电子系，长春　 １３００２２） （ 年月 日收到； 年月日收到