高压VDMOSFET击穿电压优化设计-电子元件技术.PDFVIP

高压 VDMOSFET 击穿电压优化设计 严向阳，唐晓琦，淮永进 (1．佛山市蓝箭电子有限公司，广东 佛山 528000；2．北京燕东微电子有 限公司，北京 100015) 0 引 言 VDMOSFET是一种功率型MOSFET，可直接用于处理电能的主电路中，实现电能 的变换或控制。这种器件采用电压控制方式，具有很高的输入阻抗、极高 的 开关速度、良好的热稳定性等一系列特点，在电力电子领域得到了广泛应用。 击穿电压是VDMOSFET一个非常重要的电学参数，它反映了VDMOSFET 的耐压 能力，它和VDMOSFET的结构参数有密切关系。 高压功率半导体器件的终端技术已被广泛研究。为了提高器件的耐压特性， 除了外延材料的优化设计外，有效的办法是对表面终止的pn结进行处理，以 改善边缘的 电场分布、缓和表面电场集中。常用结构有场板技术、场限环技 术、横向变掺杂技术以及结终端扩展(JTE)技术。上述方法中，场板结构主要 应用于小于400 V的中压功率器件。场限环结构是功率器件的常用终端技术 之一，它通过场限环分压，降低了结表面区由曲率效应引起的高电场，从而 提高主结的击穿电压；这项技 术由于其场限环可以同主结一起扩散，工艺简 单，研究较为成熟，适用于批量生产；通过环间距和环数量的