电子浓度对距离的关系扩散电流推导载子的扩散电流密度总电流密度.PPTVIP

漸變的雜質濃度分佈 衍生的電場 = 內建電場 阻止載子持續擴散的行為 內建電場的推導 愛因斯坦關係式 遷移率與擴散係數 霍爾效應 霍爾效應之幾何測量 霍爾電壓推導 霍爾量測 (濃度與遷移率量測) 載子的產生與復合 平衡態的產生與復合 過量載子的產生與復合 相關符號 照光產生過量的載子 過量載子復合機制 電子濃度的淨改變率 復合速率 過量載子生命期 Chapter 4 載子的傳輸現象 Carrier transport phenomena 電洞漂移電流 ρ : 電荷體積密度 (C/cm3) 電洞漂移電流 (I) _ + E mp* F a 電洞漂移電流 (II) μp : Mobility (遷移率) 比例因子 說明粒子受到電場作用時可移動的程度 單位 : cm2/V-s 遷移率（mobility） 電子漂移電流 _ + E mn* F a vdn 載子漂移電流 遷移率效應 電洞隨機運動表現 電子與電洞遷移率 晶格散射 (Lattice scattering) 聲子散射 (Phonon scattering) 當溫度高於絕對零度時,晶格原子會產生隨機的振動,造成電子與電洞與振動的晶格原子產生交互作用,而產生了散射的效應 游離雜質散射 游離雜質散射 (Ionized impurity scattering) 半導體中常使用摻雜雜質原子來控制或改變半導體的特性 這些雜質在