Al-ZnO光电纳米材料的水热合成及电学性能-硅酸盐学报.PDFVIP

See discussions, stats, and author profiles for this publication at: /publication/263607178 Hydrothermal Synthesis and Electrical Properties of Al-ZnO Photovoltaic Nanomaterials Article in uei Suan Jen Hsueh Pao/ Journal of the Chinese Ceramic Society · February 2012 CITATIONS READS 3 61 4 authors, including: Sining Yun Xian University of Architecture and Technology 60 PUBLICATIONS 844 CITATIONS SEE PROFILE Some of the authors of this publication are also working on these related projects: Low-cost, stable dye-sensitized solar cells View project All content following this page was uploaded by Sining Yun on 17 April 2015. The user has requested enhancement of the downloaded file. · 294 · 硅 酸 盐 学 报 2012 年 第40 卷第2 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 40 ，No. 2 2 0 1 2 年 2 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY February ，2012 Al-ZnO 光电纳米材料的水热合成及电学性能 云斯宁，孙 毅，甘艳萍，李玉祥 (西安建筑科技大学材料科学与工程学院，西安 710055) 摘 要：采用低温水热技术，制备了铝掺杂氧化锌(Al-ZnO，AZO)纳米光电材料，利用X 射线衍射、场发射扫描电子显微镜、光电子能谱仪及半导体 分析仪研究了铝掺杂浓度对AZO 纳米线阵列的结构、形貌、表面化学结构及电学性能的影响。结果表明：Al3+ 已经成功取代Zn2+ ，掺杂进入氧化锌 的晶格，形成了Al—O 键；AZO 纳米线阵列为单晶结构，其取向垂直、形貌良好、致密度高；随着硝酸铝浓度的增加，AZO 纳米线阵列的长径比增 加、电导率增加、电阻降低。铝掺杂导致AZO 纳米线阵列电学性能的改善归因于铝占据ZnO 晶格中锌位置引起电子浓度的净增加。 关键词：氧化锌；掺杂；水热合成；电学性能 中图分类号：TM23 ；O614.241 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2012)02–0294–06 网络出版时间：2012–1–6 14:27:44 DOI ：CNKI:11-2310/TQ1427.020 网络出版地址：/kcms/detail/11.2310.TQ1427.020.html Hydrothermal Synthesis and Electrical Properties of Al-ZnO Photovoltaic Nanomaterials YUN