CdxTe薄膜的共蒸发法制备及其表征-无机材料学报.PDFVIP

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2017-11-14 发布于天津
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CdxTe薄膜的共蒸发法制备及其表征-无机材料学报

第30 卷第 10 期无机材料学报 Vol. 30 No. 10 2015 年10 月 Journal of Inorganic Materials Oct., 2015 文章编号: 1000-324X(2015)10-1099-06 DOI: 10.15541/ji Cd Te 薄膜的共蒸发法制备及其表征 x 束青, 武莉莉, 冯良桓, 王文武, 曹五星, 张静全, 李卫, 黎兵 (四川大学材料科学与工程学院, 成都 610064) 摘要: 采用CdTe 和Te 双源共蒸发的方法, 调控CdTe 和Te 源的蒸发速率, 首次制备出一系列不同x 组分的Cd Te x 二元化合物薄膜, 并在N2 气气氛下进行 185℃退火处理。通过XRD 、SEM、紫外–可见吸收光谱分析及暗电导率– 温度关系对Cd Te 薄膜的结构、形貌、光学和电学性质进行表征。紫外–可见吸收光谱分析表明, 不同x 组分的Cd Te x x 薄膜, 其禁带宽度可在0.99~1.46 eV 之间变化, 随着x 值从0.8 减小到0.2, 吸收边向长波方向移动, 而且透过率也显著下降。XRD 结果表明, x 值小于0.6 时, 刚沉积的Cdx Te 薄膜为非晶相; 随着x 的值逐渐靠近1, 刚沉积的薄膜明显结晶, 沿CdTe(111)方向择优生长, 退火处理促使薄膜从非晶转变为多晶。Cdx Te 薄膜的导电类型为p 型, 其暗电导率随温度的上升而增大, 当温度继续升高至临界点时, 薄膜暗电导率– 温度关系出现反常。这些结果表明, Cd Te 薄膜将有望用于CdTe 薄膜太阳电池以拓展电池的长波光谱响应。 x 关键词: Cdx Te 薄膜; 双源共蒸发; CdTe 太阳电池中图分类号: TQ174 文献标识码: A Preparation and Characterization of Cd Te Thin Films Deposited by Co-evaporation x SHU Qing, WU Li-Li, FENG Liang-Hu