SiC衬底上异质外延GaN薄膜结构缺陷对黄光辐射的影响-光子学报.PDFVIP

32 11 Vol. 32 No. 11 2003 11 ACTA PHOT ONICA SINICA November 2003 SiC GaN * 1, 2 2 2 冯 倩 段 猛 郝 跃 ( 1 , 710071) ( 2 , 710071) 利 光致发光技术对在SiC 衬底上采 MOCVD 异质外延未故意掺杂的GaN 进行发光 特性的研究, 发现在室温下有很强的黄光输出, 同时, 采 扫描电子显微术和X 光衍射对样品的表 面形貌和结构进行了研究, 结果发现, 随着缺陷密度的减少, 黄光输出强度也有所降低, 因此, 黄光 输出强度与缺陷有很大的关系 GaN; 异质外延; 光致发光; 扫描电子显微术; X 光衍