TX1046NPN高频低噪声晶体管.PDFVIP

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2018-06-06 发布于天津
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TX1046NPN高频低噪声晶体管.PDF

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TX1046NPN高频低噪声晶体管

TX1046 NPN 高频低噪声晶体管描述 TX1046 是超高频低噪声晶体管，采用平面 NPN 硅外延双极型工艺，具有高功率增益、低噪声特性和大动态范围。由于采用了超小型的 SOT-323 封装，特别适用于高密度表面贴片安装，主要用于微波雷达感应开关，高频低噪声宽带放大器。主要特性 2 高增益: ︱S21e ︱典型值为 15dB @VCE 5V，IC 20mA，f 0.9GHz : NF 1.2dB @VCE 5V IC 5mA f 0.9GHz 低噪声典型值为，，增益带宽乘积:fT 典型值为 9GHz @VCE 5V，IC 20mA，f 0.9GHz 订购信息产品号标准包装 TX1046 3K/盘极限工作条件范围 (TA=25℃) 参数符号极值单位集电极基极击穿电压 VCBO 17 V 集电极发射极击穿电压 VCEO 12 V 发射极基极击穿电压 VEBO 1.5 V 集电极电流 IC 55 mA 功耗 PC 100 mW 结温度 Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 ~ +150 ℃ HFE档位分档 B C D 标号 FCB HFE 90-130 120-180 170-250 Ver1.5 1 2014-05-11 TX1046 NPN 高频低噪声晶体管电学特性 (TA=25℃) 参数符号最小典型最大单位测试条件集电极基极击穿电压 VCBO 17 V IC 1.0µA 集电极基极漏电流 ICBO 0.1 µA VCB 10V 发射极基极漏电流 IEBO 0.1 µA VEB 1V 直流增益 hFE 90 150 VCE 5V，IC 20mA 增益带宽乘积 fT 9 GHz VCE 5V，IC 20mA 输出反馈电容 Cre 0.65 1.0 pF VCB 10V,IE 0mA,f 1MHz 14.3 dB VCE 5V,IC 5mA,f 0.