改进硅各向异性腐蚀GPU并行模拟.docVIP

改进硅各向异性腐蚀GPU并行模拟 　　摘要：硅各向异性腐蚀过程复杂，采用元胞自动机模拟硅各向异性腐蚀非常耗时。为了加速腐蚀模拟过程，研究了基于图形处理器（GPU）进行硅的各向异性腐蚀模拟。针对串行算法直接并行化方法存在加速效率低等问题，提出了一个改进的并行模拟方法。该方法增加了并行部分的负载，减少了内存管理的开销，从而提高了加速性能。实验证明该方法能够获得较理想的加速比。 关键词：各向异性腐蚀；元胞自动机；模拟；图形处理器；并行计算 中图分类号： TP391； TP311 文献标志码：A 0引言 各向异性又叫“非均质性”，是指物体的物理、化学等性质随着测定方向而异的特性[1]。硅在某些腐蚀溶液中，不同晶向的腐蚀速率不尽相同，这就是硅各向异性腐蚀的特点。硅各向异性腐蚀技术是微电子机械系统（MicroElectroMechanical System， MEMS）工艺的一项核心工艺，利用该技术可以在硅衬底上加工出各种复杂的三维结构[2]。硅各向异性腐蚀是制造微机械结构的关键技术之一，利用该技术可以制造出微型传感器和微执行器等精密的三维结构[3]。 由于硅的各向异性腐蚀中，不同晶面的腐蚀速率受到晶向、腐蚀液类型、温度及浓度、掺杂浓度等因素的影响，因此难以对腐蚀结果进行预测[4]，MEMS设计者希望通过计算机模拟腐蚀过程，预先确定腐蚀结果，或者根据模拟结果调整腐