利用ICP乾式蚀刻技术制作矽的微型加速度感测器-Departmentof.PDFVIP

利用ICP乾式蝕刻技術製作矽的微型加速度感測器 Inductively coupled plasma for micro acceleration sensors fabrication of Silicon 1 2 3 Chao-Chang A. Chen , Jian-Zhi Chen , Kuo-Cheng Huang 1Department of Mechanical Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, 43 Sec. 4 Keelung Rd. Taipei, 106 Taiwan. E-mail: artchen@mail.ntust.edu.tw 2Department of Mechanical Engineering, National Taiwan University of Science and Technology, 43 Sec. 4 Keelung Rd. Taipei, 106 Taiwan. Email: M9703240@mail.ntust.edu.tw 3Instrument Technology Research Center, National Applied Research Laboratories, 20 RD Road VI, Hsinchu Science-Based Industrial Park, Hsinchu 30076 Taiwan. E-mail: huangkc@itrc.org.tw 摘要 隨著微機電 製程技術進展，加速度感測器尺寸將朝小型化發展，應用領域亦將更加廣泛， 本研究 之矽(Silicon)的加速度感測器 (Acceleration Sensors)利用擴散、曝光、顯影等微機電 製程配合 ICP 乾式蝕刻技術 (Inductively coupled plasma dry etching所製作，此加速度感測元件主要是由上蓋、) 下蓋、以及加速度感測器所構成，其感測器之結構包含一微型質量塊、微型懸臂樑、以及可放置 光纖之凹槽，經過本研究所使用的製程後，可達到感測元件微型化之需求。 關鍵字 : 加速度感測器,感 震質量塊 , ICP乾式蝕刻 1. 介紹 近幾年來，隨著各種機械元件的微型化，微機電系統(Micro Electro Meechanical System ，MEMS) 已成為熱門的研究課題，其中微感測器是在為機電系統中最早被商品化的產品。大部分的微型加 速度計結構利用矽微矽加工(Silicon micromachining)技術在矽晶圓(Silicon wafer)上製作出三次元 的微結構，如懸樑 (Cantilever beam) 、橋(Bridge) 、隔膜(Diaphragm) 、齒輪(Gear) 等結構。然而若 將這些微結構整合在同一晶片上，即可製作成微型的加速度感測器。在微機電製程中的各種結構 因為應用上的需求，常常會需要利用微機電製程製作出高深寬比的結構 [1] ，而反應式離子束蝕 刻(Reactive Ion Etching ，RIE)[2-3]與ICP[4-6] 等乾式蝕刻製程常常被用於此需求中，本研究由於 需要利用乾式蝕刻製程貫穿矽晶圓，所以以蝕刻能力較強的 ICP 製程來製作矽的微型加速度感 測器。 2. 加速度感測器結構設計 本研究參考Lawrence Livermore National Laboratory[7中的注膠道設計] 與[8]中的微型加速度感測 器設計 ，開發適用於微型加速度感測器的光纖注膠道與結構，考慮到未來搭配使用的SMF-28 光 纖直徑為 125μm ，故光纖放置道寬度設計為140μm ，其長度設計為2000μm ，在光纖週邊之注膠 道寬度均為 140μm ，此設計是為了確保抗UV 黏著膠可均勻流至光纖放置道中，以增加光纖的固 定。在微型慣性感測器外圍配有五個正方形的對位孔，可作為與上、下保護