用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 # % !##$ % ， ， ， +KL 2# 1K 2% ;9?M9:N9O !##$ （ ） $###C8!%#I!##$I# #% I $’##C# 5*5 J=3;E*5 ;E1E*5 #!##$ *P. 2 JPQR 2 ;KS 2 ############################################################### 用 方法制备的 型 薄膜紫外光电导! !#$% ’() 张德恒 刘云燕 张德骏 （山东大学物理系，济南 !#$## ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改搞） !### % ! !##$ $’ 报道了用 方法制备的非掺杂的和 弱掺杂的 型 薄膜的紫外光电导特性 结果表明这些 型样 ()*+, (- . /01 2 . 品具有显著的紫外光响应，而且光响应弛豫时间也较短 在弱光范围，光响应随光强的变小呈线性减弱，且光响应 2 的弛豫时间变长2 关键词： ， ，光电导，光响应 /01 ()*+, ： ， *+## 6’ 6’4 测器分为光电导探测器（无结器件）和光生伏特探测 器（结型器件）光电导探测器的内部的光电子增益 $ 引 言 2 较高，在同样的紫外光照射下，它比光生伏特探测器 /01 和 族氮化物作为第三代半导体材料的典 有大得多的响应电流2 是一种有发展前途的探测器2 ! 型代表是近年来光电子材料领域研究的重要课题2 研究/01 的紫外光电导特性不但是研制紫外光电 /01 材料的一个重要应用是制造高性能的紫外光探 导探测器的基础，而且还可从中获得材料能带结构 测器2 紫外光电导探测器可应用于科研、军事、太空、 的信息2 本文报道了用 ()*+, 方法制备的未掺杂 环保和许多工业领域，对紫外光探测器的研究具有 的和 弱掺杂的 型 薄膜的紫外光电导特 (- . /01 重要的意义 与其他材料的紫外光探测器相比， 性2 2 /01 紫外光探测器有其独特的优点：） 是宽带隙材 $ /01 料（ ），用它制造的紫外光探测器对波长 实 验 ! 7 8 2