知识单元-半导体器件基础.DOCVIP

第12章 基本逻辑关系和常用逻辑门电路 D1201 DTL门电路如图，试回答： 分别写出输入A、B、C与输出F之间的正、负逻辑表达式。 当输入A、B、C均为高电平4V是晶体管是否饱和导通？（EC=4V、β=30） 当A端输入低电平0V试求输入短路电流的值。 解： （1）正逻辑是高电平用“1”表示，低电平用“0”表示。当ABC中有低电平”0”输入时，输出为高电平“1”，只有全部输入为“1”时输出才为0。它满足这样逻辑关系:F=，是正逻辑“与非”运算。 负逻辑是用低电平表示“1”，高电平表示“0”，当ABC中任一端输入为“1”或全部输入为“1”时，输出为“0”；只有ABC全部为0时，输出才为“1”。它满足这样逻辑关系：F=，是负逻辑“或非”运算。 （2）当ABC全部输入均为高电平4V时，D1、D2、D3、都截止。 IB=IR1-IR2= 设晶体管饱和，则有： ICS= IBS= 因IB IBS，故晶体管饱和，输出电压Vo= 0.3V （3）求输入短路电流ISD ISD= D1202 如图所示电路是锗管门电路，已知R1=7.5K，R2=5.1K，R3=18K，RC=1K，EC= -10V，EB= 6V，EQ= -6V。若二极管导通电压为0.3V，三极管的=30，VCES = -0.1V，输入高低电平分别为 -0.1V和 -6.3V 试回答： 当输入高低平时晶体管能否满足截止，饱和条件？ 计算输出电压的高、低电平值。 解： （1）当输入为低电平-6.3V时，假设三极管饱和，二极管截止，则： VBE=-0.3V，VCE=VCES=-0.1V，VB=-0.3V 计算IBS： ICS= IBS= 计算IB： VP=VBE+ = -0.3+ I2= I3= IB=I2-I3=-0.77.(-0.35)=-0.42mA 故：|IB||IBS| ，VD=Vi-VP= -1.27V 0.3V，T饱和，D截止的假设成立。 当输入高电平Vi=-0.1V时，假设D和T均截止，则有： VBE-0.3V，IB=0，IC=0 VP=EC-= -7.59V 故晶体管T截止。 输出高电平为-0.1V，输出低电平为-6.3V。 D1203 与非门电路如图。已知：。 计算扇出系数N=？（带同类门个数） 若改为20，重做上问并比较结果。 解： （1）求VA 的值： 当输入全为高电平时二极管D1、D2、D3、截止，T1、T2、D4导通，则VP=2.1V。 ， （2）计算IB的值： IB= （3）计算ICS，及输入短路电流IDS ICS= IDS= （4）求扇出系数N 带灌电流量 IL= N=门 （5）当变为20时求VA的值 VA=2.3V 同理： IB= IL= N=门 （6）分析结果可知，增大可提高扇出系数，当由于引入了反馈，虽然变化很大，然而扇出系数变化并不大，原因是引入反馈后。IB的稳定度提高了。 D1204 图（a）、（b）分别为带灌电流负载和拉电流负载的反相器。 已知：，R1=1.5K，R2=10K，RC=1K，EC=10V，EB=-10V，ED=3V，输入高电平为3V，输入低电平为0V。 求灌电流负载时，管子达到临界饱和所允许的最小负载电阻Rlmin。 求拉电流负载时，允许的最小负载电阻Rlmin。 解： （1）求灌电流负载允许的最小Rlmin。 IB=IR1- IR2== ICS= 故： Ilmax=IB-ICS=30 RLmin= （2）求拉电流负载允许的最小RLmin Ilmax=IRC= Rlmin= D1205 典型的TTL与非门电路如图示。 输入ABC全为高电平时，根据计算，判断各管工作状态。 输入ABC全为低电平时重做上问。 解： 输入ABC全为高电平时，Ti反向工作。 VB5=VBE5=0.7V VB1=VBC1+VBE2+VBE5=2.1V IR1= IB2=IR1(1+=0.97(1+0.03) 设T2管饱和，则：VB3=VCES2+VB5=0.3+0.7=1V IR2= T2饱和条件是：，故只要，T2即饱和。 VE3=VB3-VBE3=1-0.7=0.3V，VB4=VE3=0.7 故：T4管处于截止状态。 IR2= IB1=IE2-IR3=IB2+IR2-IR3=1+5.3-2=4.3Ma 故：T5管处于深度饱和状态。 IR4= 若令：，则：IB3= 故T2处于正向工