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纳米裂缝位置可控的表面传导电子发射薄膜-系统管理学报
第 卷 第 期 液晶与显示
２９ ６
Vol．２９ No．６
ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas
年 月 q y p y
２０１４ １２ Dec．２０１４
文章编号: ( )
１００７Ｇ２７８０２０１４０６Ｇ０９１１Ｇ０５
纳米裂缝位置可控的表面传导电子发射薄膜
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杨小艳 沈志华 吴胜利
( , )
西安交通大学 电子物理与器件教育部重点实验室 陕西 西安 ７１００４９
: , ,
摘要 提出一种新型结构的表面传导电子发射导电薄膜 该导电薄膜在中间位置向内有凹陷 基于电形成过程中焦耳热
, , .
引起薄膜龟裂的原理 会在凹陷附近诱导纳米级裂缝形成 控制纳米裂缝形成位置 分析了此结构导电薄膜对裂缝产生
, , .
位置的影响及 种不同电形成方法对裂缝形貌的影响 测试了电子发射性能 得到了发射电流特性曲线和发光图像 实
２
, , ,
验结果表明 这种新型导电薄膜能一定程度上控制纳米裂缝的形成位置 有利于改进表面传导电子发射的均匀性 在阳
、 , ,
极高压 ２０kV 阴极板电子发射单元施加的器件电压 １４V时 新型结构导电薄膜实现了均匀发光 发射电流最大为
１８ A.
μ
: , ,
关 键 词 表面传导电子发射 内陷型导电薄膜 电形成
中图分类号: 文献标识码: : /
A doi１０．３７８８YJYX０９１１
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conductionelectronemitter
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