集成电路工艺原理期末问题-论文.docVIP

深圳大学电子科学与技术学院 集成电路工艺原理 期末总结报告 深圳大学考试答题纸 (以论文、报告等形式考核专用)二○一○～二○一一 学年度第 一 学期 课程编号 2316110101 课程名称 集成电路工艺原理 主讲教师 评分 学 号 姓名 专业年级 教师评语： 要 求 本报告（作业）必须是完全独立完成，没有抄袭或节选选本课程其他同学的作业，如果确认是抄袭（抄袭和被抄袭）都要承担最终成绩为F的结果。 完成时间：下班之前 请详细解答以下每道问题！（回答时请每道题之间留有空隙、题之间清晰分开、每题标明题号；字迹工整、最好打印；图可以手画，但是，必须用规、具，线条清晰规范；坚决杜绝！纸面脏、乱、草） 现在先进集成电路光刻工艺中曝光光源的波长为193nm或157nm，根据现代光学理论，曝光光刻胶的分辨率大约等于波长。然而，现在，在45nm器件工艺中，使用的曝光光源仍然是193nm光源，请详细回答（可以附加图形），在此工艺中使用了什么特殊技术成功解决了用193nm光源曝光45nm器件的难题（写出，波长和分辨率之间的关系式）。 【20分】 答： 如图：在离子注入工艺中，为了简单起见，p阱（或n阱）按密度可以分为这样3个区域，以nMOS为例分为n-,n+和p三个区域，请问形成这样的结构采用了什么工艺技术和那些工艺步骤才能形成，请详细解答。 【15分】 从栅极形成工艺的历史来看，由最初集成电路的金属栅极到后来的多晶硅栅极再到现在最先进集成电路的金属栅极，形成了一个 “循环”。请详细阐述这个循环中各个阶段的工艺原理、不同、进步和原因。 【15分】 如图，在大规模集成电路中为了增大电容量，常把电容的电极制作成立体形式，以增大电容量，请详细叙述（用图和语言）图所示立体电容的形成工艺过程。 【20分】 （图说明：图中电容材料为多晶硅和氧化硅，其中，红线为SiO2，其他为Si） 超大规模集成电路工艺中引入了平坦化工艺，请详细阐述引入平坦化工艺的必要性和平坦化工艺解决的工艺中的问题，以及当前平坦化工艺中存在的问题。 【15分】 请详细阐述在化学气相淀积工艺中低气体压力会给淀积带来什么好处。 【15分】 以下为答题用 ——————————————————————————————————————————— 1、 现在先进集成电路光刻工艺中曝光光源的波长为193nm或157nm，根据现代光学理论，曝光光刻胶的分辨率大约等于波长。然而，现在，在45nm器件工艺中，使用的曝光光源仍然是193nm光源，请详细回答（可以附加图形），在此工艺中使用了什么特殊技术成功解决了用193nm光源曝光45nm器件的难题（写出，波长和分辨率之间的关系式）。 答： （1）波长和分辨率之间的关系式： R=kλ/NA 其中，λ是光的波长，NA（Numerical Aperture）是系统中透镜的数值孔径，k是分辨率系数。 由关系式我们可以知道，光源的波长越短，数值孔径越大，分辨率越高。这里NA=n×sinθ（其中n是光通过介质时的折射率，θ是曝光的光形成的角度）。一般情况下，曝光在大气条件下进行，n=1。 （2）①现在，在45nm器件工艺中，使用的曝光光源仍然是193nm光源，在此工艺中使用了浸入式光刻技术（Immersion Lithography），成功解决了用193nm光源曝光45nm器件的难题。 ②浸入式光刻是指在光刻机投影镜头与半导体硅片之间用一种液体充满，从而获得更好分辩率及增大镜头的数值孔径，进而实现更小曝光尺寸的一种新型光刻技术。 ③由公式R=kλ/NA =kλ/ n×sinθ，液浸方式中投影镜头和硅片之间存在折射率大于1的液体时，投影光学系系统的数值孔径NA，NA=n×sinθ中的n变大。同一曝光系统的θ不变，所以，最小分辨率变成原来的1/n。空气的折射率为1，水的折射率为1.47（相对于193nm的深紫外光而言）；所以，用水来代替空气，可以提高光刻系统的数值孔径（NA，Numerical Aperture），最终可以提升分辨率。 ④在ITRS2003版本