太阳能流程附设备名称.docVIP

本文由anny6601贡献 doc文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 序号 流程 设备名称 1 硅片清洗、制绒 自动化学清洗机 2 硅片干燥 离心干燥机 3 扩散（磷） 扩散炉 4 表面电阻率测试 电阻率测试仪 5 去除表面氧化层漂洗 自动化学清洗机 6 等离子周边刻蚀 等离子刻蚀机 7 SiN减反射膜沉积 PECVD 8 背面电极印刷 丝网印刷机 9 背面电极烘干 干燥炉 10 铝背场印刷 丝网印刷机 11 铝背场烘干 干燥炉 12 正面银电极印刷 丝网印刷机 13 烧结 烧结炉 14 测试分选 IV测试机 15 包装出货 太阳能电池片制造的生产工艺 一、硅片检测 硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效 率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术 参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、 P/N型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检 测模块。其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的 尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外 还有两个检测模组， 其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型， 另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前，需 要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。硅片检测设备 能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度 和效率。 二、表面制绒 单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万 个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了 光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热 的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使 用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。为 了获得均匀的绒面， 还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂， 以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐 蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的 硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。 三、扩散制结 太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制 造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气 室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩 散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850900摄氏度高温下使 用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。 经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙 向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。 这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可 大于10ms。制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结 的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线 将电流引出，就是直流电。 四、去磷硅玻璃 该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢 氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除扩 散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中，POCL3与O2反应生成 P2O5淀积在硅片表面。P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子，这样就在硅片表面 形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。去磷硅玻璃的设备一般由本体、 清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成， 主要动力源有氢氟酸、氮气、压缩空气、纯水，热排风和废水。氢氟酸能够溶 解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟 酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟 硅酸。 五、等离子刻蚀 由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可 避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域 流到PN结的背面，而造成短路。因此，必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻 蚀，以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子 刻蚀是在低压状态下，反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下，产生电离 并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在 电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团。活 性反应基团由于扩散或者