IGBT控制大电流脉冲放电时的过压保护.pdfVIP

第32卷 第1期 江 西 科 学 Vol_32No．1 2014年 2月 JIANGXI SCIENCE Feb．2014 文章编号：1001—3679(2014)01—0095—04 IGBT控制大电流脉冲放电时的过压保护 宗泽源，施芸城 (东华大学理学院，上海 201620) 摘要：IGBT在控制脉冲大电流时，回路杂散 电感中存在较高电流变化率所形成的纳秒高尖峰 电压，从而产生 过压损坏。通过分析3种类型 (C型、RC型和RCD型)吸收电路的特点，采用 RCD型和c型吸收电路的组 合后，可以有效地使尖峰能量向脉冲后沿分散，使高压尖峰转化为低压震荡。最终可将 IGBT在关断时的C-E 极间电压控制在不超过母线电压的1／3，从而达到保护 IGBT的目的。 关键词 ：IGBT；大电流；过压保护；RCD吸收电路 中图分类号 ：TN386．2 文献标识码：A TheOvervoltageProtectionofIGBT W hen usedtoControlPulseDischargewithLargeCurrent ZONG Ze-yuan，SHIYun-cheng (CollegeofScience，DonghuaUniversity，Shanghm201620PRC) Abstract：Ananosecondhighvoltagepeak isobservedwhenIGBT isusedtocontrollargecurrent pulse．Itisproducedbyasalutatorycurrentreducingratealongwith thestrayinductances，andthe IGBTisledtoovervoltagedamage．Byanalyzingthreestylesofsnubbercircuits(TypeC，TypeRC andTypeRCD)，acombinationoftypeRCDandCisconsidered．Itisefficienttodispersethepeak energy，andturnsthehighvoltagepeaktolowvoltageoscillation．Andmore，thevoltageVceofIGBT doesnotexceed 1／3busbarvoltage．Thegoal ofIGBTprotectioncanbeachieved． Keywords：IGBT,Largecurrent，Overvohageprotection，RCD SnubberCircuit 抗和GTR的低导通压降2个方面的优点¨J，在电 0 引言 力电子领域中得到越来越广泛的应用。但由于 通过金属化脉冲电容直接对线圈或大容量脉 IGBT的关断时间短 (可达十几纳秒)，在此过程 冲变压器放电能获得较大的脉冲电流。为了控制 中很可能产生过电压_2』。在实际应用中，对 IG- 脉冲电流的脉宽，需要选用合适的开关来控制电 BT的过压保护必不可少。 容能量的释放。近年来，大功率半导体开关的迅 1 尖峰电压形成与消散的原因分析 速发展为高功率脉冲的产生提供了更多的选择。 绝缘栅双极型晶体管，IGBT(InsulatedGateBipo— 1．1 IGBT开关管上产生尖峰电压的原因 larTransistor)，是由BJ]r(双极型三极管)和MOS 以图1所示的典型电路结构作为问题分析对 (绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱 象。电容c作为电路的能量提供单元，在