ITO薄膜的制备、光刻及性能测试实验设计.pdfVIP

第 11卷 第6期 实验科学与技术 VoI．11No．6 2013年 12月 ExperimentScienceandTechnology Dec．20l3 ITO薄膜的制备、光刻及性能测试实验设计 张 磊 ，刘文龙 ，段宇星 (电子科技大学 光电信息学院，成都 610054) 摘要：文中就电子科技大学显示器件技术课程ITO薄膜的制备、光刻及性能测试实验进行了深入分析。该实验主要涉及 ITO薄膜的制备、图案的刻蚀、ITO薄膜的方阻测试及透过率测试。通过该实验让学生掌握ITO薄膜的制备、薄膜图案的 形成及薄膜的性能测试等基本工艺技术。 关 键 词：ITO薄膜；刻蚀 ；方阻；透过率 中图分类号：TN15 文献标志码 ：B doi：10．3969／j．issn．1672—4550．2013．06．074 ExperimentalDesignofPreparation，Lithographyand M easurementforIT0 Thin．．film ZHANG Lei，LIU Wenlong，DUAN Yuxing (SchoolofOptoelectronicInformation，UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina，Chengdu610054，China) Abstract：ExperimemaldesignofdisplaytechnologyofUESTC isanalyzedinthispaper．Thisexperimentmainlyrelatestotheprepara— tionofITO thinfilm，thepatternetching，thesquareresistancetestandthetransmittancetestofITO film．Throughtheexperiment， thestudentscanmasterthepreparationofITO thinfilm ，theformationofthinfilm pattern，thefilm perfomr ancetestingandotherbas— ictechnoloyg ． Keywords：ITO thinfilm ；etching；squareresistance；transmittance 随着人类社会信息化进程步伐的加快，液晶显 轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原 示器 (LCD)、等离子体显示器(PDP)和有机电致发 子 (或分子)沉积在基片上成膜，如图1所示。 光显示器(OLED)获得 了长足的发展，由于上述显 磁控溅射技术具有成膜速率高、基片温度低 、 示器具有平面化、轻、薄、省电等特点，符合未来 膜的粘附性好、可实现大面积镀膜等特点。该技术 显示器的发展趋势，目前已经逐渐取代传统的阴极 可以分为直流磁控溅射法和射频磁控溅射法 。 射线管(CRT)显示器成为主流显示技术。进入 21 直流溅射和射频溅射很早就开始在二极溅射系统中 世纪后，在手机通信显示、数码相机取景器、多媒 被采用。直流溅射法用于被溅射材料为导电材料的 体终端、军事领域的武器瞄准系统和宇航特装设备 溅射和反应溅射镀膜中，工艺设备简单，有较高的 显示器等领域，完全是 LCD和 OLED的市场 。 溅射速率。而对陶瓷等介质材料靶，则只能采用射 ITO薄膜作为信息显示器件中经常使用的透明电 频磁控溅射方法沉积薄膜 ，该方法能对各种导体、 极，几乎为大多数显示器件所采用，而电极图案的 半导体和绝缘介质等任何材料进行溅射镀膜。 生成往往采用光刻工艺来完成。 1 实验原理 1．1 ITO薄膜的制备 磁控溅射 (magnetron—sputtering)是上个世纪 70 年代迅速发展起来的一种 “高速低温